RFG75N05E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RFG75N05E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 240 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для RFG75N05E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RFG75N05E даташит

 ..1. Size:61K  intersil
 rfg75n05e.pdf pdf_icon

RFG75N05E

RFG75N05E Data Sheet July 1999 File Number 2275.5 75A, 50V, 0.008 Ohm, N-Channel Power Features MOSFET 75A, 50V These are N-Channel enhancement mode silicon gate rDS(ON) = 0.008 power field effect transistors. They are advanced power Electrostatic Discharge Rated MOSFETs designed, tested, and guaranteed to withstand a UIS Rating Curve (Single Pulse) specified level

Другие IGBT... RFG45N06LE, RFG50N05L, RFG50N06, RFG50N06LE, RFG60P03, RFG60P05E, RFG60P06E, RFG70N06, AO3401, RFL1N10L, RFP10P03L, RFP12N06RLE, RFP12N10L, RFP12P08, RFP12P10, RFP14N05, RFP14N05L