RFG75N05E - аналоги и даташиты транзистора

 

RFG75N05E - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: RFG75N05E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 240 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для RFG75N05E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RFG75N05E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:61K  intersil
 rfg75n05e.pdf pdf_icon

RFG75N05E

RFG75N05EData Sheet July 1999 File Number 2275.575A, 50V, 0.008 Ohm, N-Channel Power FeaturesMOSFET 75A, 50VThese are N-Channel enhancement mode silicon gate rDS(ON) = 0.008power field effect transistors. They are advanced power Electrostatic Discharge RatedMOSFETs designed, tested, and guaranteed to withstand a UIS Rating Curve (Single Pulse)specified level

Другие MOSFET... RFG45N06LE , RFG50N05L , RFG50N06 , RFG50N06LE , RFG60P03 , RFG60P05E , RFG60P06E , RFG70N06 , AO3401 , RFL1N10L , RFP10P03L , RFP12N06RLE , RFP12N10L , RFP12P08 , RFP12P10 , RFP14N05 , RFP14N05L .

 

 
Back to Top

 


 
.