Справочник MOSFET. RFG75N05E

 

RFG75N05E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RFG75N05E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 240 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 75 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RFG75N05E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:61K  intersil
 rfg75n05e.pdf pdf_icon

RFG75N05E

RFG75N05EData Sheet July 1999 File Number 2275.575A, 50V, 0.008 Ohm, N-Channel Power FeaturesMOSFET 75A, 50VThese are N-Channel enhancement mode silicon gate rDS(ON) = 0.008power field effect transistors. They are advanced power Electrostatic Discharge RatedMOSFETs designed, tested, and guaranteed to withstand a UIS Rating Curve (Single Pulse)specified level

Другие MOSFET... RFG45N06LE , RFG50N05L , RFG50N06 , RFG50N06LE , RFG60P03 , RFG60P05E , RFG60P06E , RFG70N06 , TK10A60D , RFL1N10L , RFP10P03L , RFP12N06RLE , RFP12N10L , RFP12P08 , RFP12P10 , RFP14N05 , RFP14N05L .

History: UF830KG-TF3-T | IRLML9301TRPBF | STP20NM60FP | AUIRFZ34N | CS5N65A8H | 2N6760JANTXV | RU7550S

 

 
Back to Top

 


 
.