SW4N80B Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SW4N80B  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 252.13 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4 Ohm

Encapsulados: TO-251N

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SW4N80B datasheet

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SW4N80B

SAMWIN SW4N80B N-channel TO-220F MOSFET Features TO-220F TO-251N BVDSS 800V ID 4A High ruggedness RDS(ON) (Max 4 )@VGS=10V RDS(ON) 4ohm Gate Charge (Typical 14nC) 1 1 Improved dv/dt Capability 2 2 100% Avalanche Tested 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source 1 General Description This power MOSFET is produced with advanced VDMOS technol

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SW4N80B

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SW4N80B

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SW4N80B

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 800 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 4.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 4 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 25 A (Max.) @ VDS = 800V 2 Low RDS(ON) 3.400 (Typ.) 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Charact

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