SW4N80B Todos los transistores

 

SW4N80B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SW4N80B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 252.13 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251N
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SW4N80B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:510K  samwin
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SW4N80B

SAMWIN SW4N80B N-channel TO-220F MOSFET Features TO-220F TO-251N BVDSS : 800V ID : 4A High ruggedness RDS(ON) (Max 4)@VGS=10V RDS(ON) : 4ohm Gate Charge (Typical 14nC) 1 1 Improved dv/dt Capability 2 2 100% Avalanche Tested 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source 1 General Description This power MOSFET is produced with advanced VDMOS technol

 8.1. Size:183K  1
 ssi4n80as ssw4n80as.pdf pdf_icon

SW4N80B

 8.2. Size:184K  1
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SW4N80B

 8.3. Size:507K  samsung
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SW4N80B

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 800 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 4.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 4 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 800V2 Low RDS(ON) : 3.400 (Typ.)112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Charact

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History: CI47N65 | HTS050N03

 

 
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