SW4N80B - аналоги и даташиты транзистора

 

SW4N80B - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SW4N80B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 252.13 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm
   Тип корпуса: TO-251N
 

 Аналог (замена) для SW4N80B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SW4N80B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:510K  samwin
 sw4n80b.pdf pdf_icon

SW4N80B

SAMWIN SW4N80B N-channel TO-220F MOSFET Features TO-220F TO-251N BVDSS : 800V ID : 4A High ruggedness RDS(ON) (Max 4)@VGS=10V RDS(ON) : 4ohm Gate Charge (Typical 14nC) 1 1 Improved dv/dt Capability 2 2 100% Avalanche Tested 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source 1 General Description This power MOSFET is produced with advanced VDMOS technol

 8.1. Size:183K  1
 ssi4n80as ssw4n80as.pdf pdf_icon

SW4N80B

 8.2. Size:184K  1
 ssi4n80a ssw4n80a.pdf pdf_icon

SW4N80B

 8.3. Size:507K  samsung
 ssw4n80a.pdf pdf_icon

SW4N80B

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 800 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 4.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 4 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 800V2 Low RDS(ON) : 3.400 (Typ.)112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Charact

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SW4N60K , SW4N60V , SW4N65B , SW4N65D , SW4N65K , SW4N65U , SW4N70B , SW4N70K , IRF2807 , SW601Q , U55NF06 , UC1764 , UJN1205K , UJN1208K , UM6J1N , UM6K33N , UM6K34N .

History: IRF523FI | MTE050N15BRV8

 

 
Back to Top

 


 
.