SW601Q Todos los transistores

 

SW601Q MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SW601Q
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.05 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 145 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 330 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

 Búsqueda de reemplazo de SW601Q MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SW601Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:424K  samwin
 sw601q.pdf pdf_icon

SW601Q

SAMWIN SW601Q N-channel SOT-23 MOSFET BVDSS : 600V SOT-23 3 Features ID : 0.185A RDS(ON) : 700 RDS(ON) (Max 700)@VGS=0V,ID=3mA High Switching Speed 1 3 2 2 1. Source 2. Gate 3. Drain 1 General Description The SW601Q is an N-channel power MOSFET using SAMWINs Advanced technology to provide the customers with high switching speed. Order Cod

Otros transistores... SW4N60V , SW4N65B , SW4N65D , SW4N65K , SW4N65U , SW4N70B , SW4N70K , SW4N80B , SI2302 , U55NF06 , UC1764 , UJN1205K , UJN1208K , UM6J1N , UM6K33N , UM6K34N , UPA1716 .

History: BXL4001 | AP72T03GH-HF | BSZ097N10NS5 | IRFR3411TR

 

 
Back to Top

 


 
.