SW601Q MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SW601Q
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.05 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(off)|ⓘ - Voltaje de corte de la puerta: 1.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 1300 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 145 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 330 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SW601Q

SW601Q Datasheet (PDF)

..1. Size:424K samwin
sw601q.pdf

SAMWIN SW601Q N-channel SOT-23 MOSFET BVDSS : 600V SOT-23 3 Features ID : 0.185A RDS(ON) : 700 RDS(ON) (Max 700)@VGS=0V,ID=3mA High Switching Speed 1 3 2 2 1. Source 2. Gate 3. Drain 1 General Description The SW601Q is an N-channel power MOSFET using SAMWINs Advanced technology to provide the customers with high switching speed. Order Cod

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: