SW601Q MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SW601Q
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.05 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 145 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 330 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23
Búsqueda de reemplazo de SW601Q MOSFET
SW601Q Datasheet (PDF)
sw601q.pdf

SAMWIN SW601Q N-channel SOT-23 MOSFET BVDSS : 600V SOT-23 3 Features ID : 0.185A RDS(ON) : 700 RDS(ON) (Max 700)@VGS=0V,ID=3mA High Switching Speed 1 3 2 2 1. Source 2. Gate 3. Drain 1 General Description The SW601Q is an N-channel power MOSFET using SAMWINs Advanced technology to provide the customers with high switching speed. Order Cod
Otros transistores... SW4N60V , SW4N65B , SW4N65D , SW4N65K , SW4N65U , SW4N70B , SW4N70K , SW4N80B , IRFZ46N , U55NF06 , UC1764 , UJN1205K , UJN1208K , UM6J1N , UM6K33N , UM6K34N , UPA1716 .
History: FQI2P25TU | AOC2401 | GP1M006A065XX | 2SK3309K | NP48N055KHE | SQ3987EV | AFN3414S
History: FQI2P25TU | AOC2401 | GP1M006A065XX | 2SK3309K | NP48N055KHE | SQ3987EV | AFN3414S



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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