SW601Q Todos los transistores

 

SW601Q MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SW601Q

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.05 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 145 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 330 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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SW601Q datasheet

 ..1. Size:424K  samwin
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SW601Q

SAMWIN SW601Q N-channel SOT-23 MOSFET BVDSS 600V SOT-23 3 Features ID 0.185A RDS(ON) 700 RDS(ON) (Max 700 )@VGS=0V,ID=3mA High Switching Speed 1 3 2 2 1. Source 2. Gate 3. Drain 1 General Description The SW601Q is an N-channel power MOSFET using SAMWIN s Advanced technology to provide the customers with high switching speed. Order Cod

Otros transistores... SW4N60V , SW4N65B , SW4N65D , SW4N65K , SW4N65U , SW4N70B , SW4N70K , SW4N80B , SI2302 , U55NF06 , UC1764 , UJN1205K , UJN1208K , UM6J1N , UM6K33N , UM6K34N , UPA1716 .

History: HCI70R360

 

 

 

 

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