SW601Q - аналоги и даташиты транзистора

 

SW601Q - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SW601Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.05 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 330 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для SW601Q

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SW601Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:424K  samwin
 sw601q.pdf pdf_icon

SW601Q

SAMWIN SW601Q N-channel SOT-23 MOSFET BVDSS : 600V SOT-23 3 Features ID : 0.185A RDS(ON) : 700 RDS(ON) (Max 700)@VGS=0V,ID=3mA High Switching Speed 1 3 2 2 1. Source 2. Gate 3. Drain 1 General Description The SW601Q is an N-channel power MOSFET using SAMWINs Advanced technology to provide the customers with high switching speed. Order Cod

Другие MOSFET... SW4N60V , SW4N65B , SW4N65D , SW4N65K , SW4N65U , SW4N70B , SW4N70K , SW4N80B , SI2302 , U55NF06 , UC1764 , UJN1205K , UJN1208K , UM6J1N , UM6K33N , UM6K34N , UPA1716 .

History: STD2NM60T4

 

 
Back to Top

 


 
.