SW601Q - описание и поиск аналогов

 

SW601Q. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SW601Q

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.05 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 330 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для SW601Q

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SW601Q даташит

 ..1. Size:424K  samwin
 sw601q.pdf pdf_icon

SW601Q

SAMWIN SW601Q N-channel SOT-23 MOSFET BVDSS 600V SOT-23 3 Features ID 0.185A RDS(ON) 700 RDS(ON) (Max 700 )@VGS=0V,ID=3mA High Switching Speed 1 3 2 2 1. Source 2. Gate 3. Drain 1 General Description The SW601Q is an N-channel power MOSFET using SAMWIN s Advanced technology to provide the customers with high switching speed. Order Cod

Другие MOSFET... SW4N60V , SW4N65B , SW4N65D , SW4N65K , SW4N65U , SW4N70B , SW4N70K , SW4N80B , SI2302 , U55NF06 , UC1764 , UJN1205K , UJN1208K , UM6J1N , UM6K33N , UM6K34N , UPA1716 .

History: NTD4808N | SI4405DY-T1 | 2SK3874-01R

 

 

 

 

↑ Back to Top
.