U55NF06 Todos los transistores

 

U55NF06 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: U55NF06

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 136 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 430 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm

Encapsulados: TO-252

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U55NF06 datasheet

 ..1. Size:279K  thinkisemi
 d55nf06 f55nf06 p55nf06 u55nf06.pdf pdf_icon

U55NF06

55NF06 Pb 55NF06 Pb Free Plating Product N-CHANNEL POWER MOSFET TRANSISTOR 50 AMPERE 60 VOLT N-CHANNEL POWER MOSFET 1 2 TO-251/IPAK 3 DESCRIPTION Thinkisemi 50N06 is three-terminal silicon device with current conduction capability of about 50A, fast switching speed. Low on-state resistance, breakdown voltage rating of 60V, and max 12 threshold voltages of 4 volt. TO-

Otros transistores... SW4N65B , SW4N65D , SW4N65K , SW4N65U , SW4N70B , SW4N70K , SW4N80B , SW601Q , AO3407 , UC1764 , UJN1205K , UJN1208K , UM6J1N , UM6K33N , UM6K34N , UPA1716 , UPA1716G .

History: IAUC100N04S6L025 | 2SK1288 | 2SK1198 | 2SK1289 | HM13N50 | HCD90R450 | RV1C002UN

 

 

 

 

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