U55NF06 Todos los transistores

 

U55NF06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: U55NF06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 136 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 430 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

U55NF06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:279K  thinkisemi
 d55nf06 f55nf06 p55nf06 u55nf06.pdf pdf_icon

U55NF06

55NF06Pb55NF06Pb Free Plating ProductN-CHANNEL POWER MOSFET TRANSISTOR50 AMPERE 60 VOLTN-CHANNEL POWER MOSFET12TO-251/IPAK3 DESCRIPTION Thinkisemi 50N06 is three-terminal silicon device with current conduction capability of about 50A, fast switching speed. Low on-state resistance, breakdown voltage rating of 60V, and max 12threshold voltages of 4 volt. TO-

Otros transistores... SW4N65B , SW4N65D , SW4N65K , SW4N65U , SW4N70B , SW4N70K , SW4N80B , SW601Q , 7N60 , UC1764 , UJN1205K , UJN1208K , UM6J1N , UM6K33N , UM6K34N , UPA1716 , UPA1716G .

History: MMN3400

 

 
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