U55NF06 - описание и поиск аналогов

 

U55NF06. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: U55NF06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для U55NF06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

U55NF06 даташит

 ..1. Size:279K  thinkisemi
 d55nf06 f55nf06 p55nf06 u55nf06.pdf pdf_icon

U55NF06

55NF06 Pb 55NF06 Pb Free Plating Product N-CHANNEL POWER MOSFET TRANSISTOR 50 AMPERE 60 VOLT N-CHANNEL POWER MOSFET 1 2 TO-251/IPAK 3 DESCRIPTION Thinkisemi 50N06 is three-terminal silicon device with current conduction capability of about 50A, fast switching speed. Low on-state resistance, breakdown voltage rating of 60V, and max 12 threshold voltages of 4 volt. TO-

Другие MOSFET... SW4N65B , SW4N65D , SW4N65K , SW4N65U , SW4N70B , SW4N70K , SW4N80B , SW601Q , AO3407 , UC1764 , UJN1205K , UJN1208K , UM6J1N , UM6K33N , UM6K34N , UPA1716 , UPA1716G .

History: SRC60R075FBS

 

 

 

 

↑ Back to Top
.