Справочник MOSFET. U55NF06

 

U55NF06 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: U55NF06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 30 nC
   trⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для U55NF06

 

 

U55NF06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:279K  thinkisemi
 d55nf06 f55nf06 p55nf06 u55nf06.pdf

U55NF06 U55NF06

55NF06Pb55NF06Pb Free Plating ProductN-CHANNEL POWER MOSFET TRANSISTOR50 AMPERE 60 VOLTN-CHANNEL POWER MOSFET12TO-251/IPAK3 DESCRIPTION Thinkisemi 50N06 is three-terminal silicon device with current conduction capability of about 50A, fast switching speed. Low on-state resistance, breakdown voltage rating of 60V, and max 12threshold voltages of 4 volt. TO-

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top