Справочник MOSFET. U55NF06

 

U55NF06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: U55NF06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для U55NF06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

U55NF06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:279K  thinkisemi
 d55nf06 f55nf06 p55nf06 u55nf06.pdf pdf_icon

U55NF06

55NF06Pb55NF06Pb Free Plating ProductN-CHANNEL POWER MOSFET TRANSISTOR50 AMPERE 60 VOLTN-CHANNEL POWER MOSFET12TO-251/IPAK3 DESCRIPTION Thinkisemi 50N06 is three-terminal silicon device with current conduction capability of about 50A, fast switching speed. Low on-state resistance, breakdown voltage rating of 60V, and max 12threshold voltages of 4 volt. TO-

Другие MOSFET... SW4N65B , SW4N65D , SW4N65K , SW4N65U , SW4N70B , SW4N70K , SW4N80B , SW601Q , 7N60 , UC1764 , UJN1205K , UJN1208K , UM6J1N , UM6K33N , UM6K34N , UPA1716 , UPA1716G .

History: NP90N04PDH

 

 
Back to Top

 


 
.