RFL1N10L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RFL1N10L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 8.33 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80(max) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO205AF

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RFL1N10L

RFL1N10L Datasheet (PDF)

..1. Size:33K intersil
rfl1n10l.pdf

RFL1N10L1A, 100V, 1.200 Ohm, Logic Level, N-ChannelSeptember 1998 Power MOSFETFeatures Description 1A, 100V This is an N-Channel enhancement mode silicon gate powerfield effect transistor specifically designed for use with logic rDS(ON) = 1.200level (5V) driving sources in applications such as program-mable controllers, automotive switching, and solenoid driv-ers. Thi

7.1. Size:87K njs
rfl1n08 rfl1n10.pdf