RFL1N10L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RFL1N10L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 8.33 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 max pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO205AF

Аналог (замена) для RFL1N10L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RFL1N10L даташит

 ..1. Size:33K  intersil
 rfl1n10l.pdf pdf_icon

RFL1N10L

RFL1N10L 1A, 100V, 1.200 Ohm, Logic Level, N-Channel September 1998 Power MOSFET Features Description 1A, 100V This is an N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistor specifically designed for use with logic rDS(ON) = 1.200 level (5V) driving sources in applications such as program- mable controllers, automotive switching, and solenoid driv- ers. Thi

 7.1. Size:87K  njs
 rfl1n08 rfl1n10.pdf pdf_icon

RFL1N10L

 8.1. Size:87K  njs
 rfl1n18l rfl1n20l rfp2n18l rfp2n20l.pdf pdf_icon

RFL1N10L

 8.2. Size:90K  njs
 rfl1n18 rfl1n20.pdf pdf_icon

RFL1N10L

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RFG50N05L, RFG50N06, RFG50N06LE, RFG60P03, RFG60P05E, RFG60P06E, RFG70N06, RFG75N05E, K3569, RFP10P03L, RFP12N06RLE, RFP12N10L, RFP12P08, RFP12P10, RFP14N05, RFP14N05L, RFP14N06