RFP10P03L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RFP10P03L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 340 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm

Encapsulados: TO220AB

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RFP10P03L datasheet

 ..1. Size:178K  harris semi
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RFP10P03L

RFD10P03L, RFD10P03LSM, S E M I C O N D U C T O R RFP10P03L 10A, 30V, 0.200 , Logic Level P-Channel Power MOSFET May 1997 Features Description 10A, 30V These products are P-Channel power MOSFETs manufac- tured using the MegaFET process. This process, which uses rDS(ON) = 0.200 feature sizes approaching those of LSI circuits, gives opti- mum utilization of silicon, result

 9.1. Size:84K  njs
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RFP10P03L

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