RFP10P03L - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: RFP10P03L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
Тип корпуса: TO220AB
Аналог (замена) для RFP10P03L
RFP10P03L Datasheet (PDF)
rfd10p03l-sm rfp10p03l.pdf
RFD10P03L, RFD10P03LSM,S E M I C O N D U C T O RRFP10P03L10A, 30V, 0.200, Logic LevelP-Channel Power MOSFETMay 1997Features Description 10A, 30V These products are P-Channel power MOSFETs manufac-tured using the MegaFET process. This process, which uses rDS(ON) = 0.200feature sizes approaching those of LSI circuits, gives opti-mum utilization of silicon, result
Другие MOSFET... RFG50N06 , RFG50N06LE , RFG60P03 , RFG60P05E , RFG60P06E , RFG70N06 , RFG75N05E , RFL1N10L , 8205A , RFP12N06RLE , RFP12N10L , RFP12P08 , RFP12P10 , RFP14N05 , RFP14N05L , RFP14N06 , RFP14N06L .
History: VBA2333 | KIA3402 | FCP104N60 | KIA3510A-220 | SUP45N05-20L | IRF8301M | FHF2N60E
History: VBA2333 | KIA3402 | FCP104N60 | KIA3510A-220 | SUP45N05-20L | IRF8301M | FHF2N60E
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
3sk73 | 13n10 mosfet | 2n3565 transistor | datasheet irfz44n | 2sd1047 transistor | mj802 | bu508a | bc560c