RFP10P03L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RFP10P03L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для RFP10P03L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RFP10P03L даташит

 ..1. Size:178K  harris semi
 rfd10p03l-sm rfp10p03l.pdf pdf_icon

RFP10P03L

RFD10P03L, RFD10P03LSM, S E M I C O N D U C T O R RFP10P03L 10A, 30V, 0.200 , Logic Level P-Channel Power MOSFET May 1997 Features Description 10A, 30V These products are P-Channel power MOSFETs manufac- tured using the MegaFET process. This process, which uses rDS(ON) = 0.200 feature sizes approaching those of LSI circuits, gives opti- mum utilization of silicon, result

 9.1. Size:84K  njs
 rfm10n12 rfm10n15 rfp10n12 rfp10n15.pdf pdf_icon

RFP10P03L

Другие IGBT... RFG50N06, RFG50N06LE, RFG60P03, RFG60P05E, RFG60P06E, RFG70N06, RFG75N05E, RFL1N10L, IRFP260, RFP12N06RLE, RFP12N10L, RFP12P08, RFP12P10, RFP14N05, RFP14N05L, RFP14N06, RFP14N06L