Справочник MOSFET. RFP10P03L

 

RFP10P03L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RFP10P03L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для RFP10P03L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RFP10P03L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:178K  harris semi
 rfd10p03l-sm rfp10p03l.pdf pdf_icon

RFP10P03L

RFD10P03L, RFD10P03LSM,S E M I C O N D U C T O RRFP10P03L10A, 30V, 0.200, Logic LevelP-Channel Power MOSFETMay 1997Features Description 10A, 30V These products are P-Channel power MOSFETs manufac-tured using the MegaFET process. This process, which uses rDS(ON) = 0.200feature sizes approaching those of LSI circuits, gives opti-mum utilization of silicon, result

 9.1. Size:84K  njs
 rfm10n12 rfm10n15 rfp10n12 rfp10n15.pdf pdf_icon

RFP10P03L

Другие MOSFET... RFG50N06 , RFG50N06LE , RFG60P03 , RFG60P05E , RFG60P06E , RFG70N06 , RFG75N05E , RFL1N10L , 8205A , RFP12N06RLE , RFP12N10L , RFP12P08 , RFP12P10 , RFP14N05 , RFP14N05L , RFP14N06 , RFP14N06L .

History: DHS020N04E | IPD082N10N3G | AM40P10-200P | SIHF740AL | CS10N65FA9HD | OSG65R380DTF | SSM3K17FU

 

 
Back to Top

 


 
.