PTP04N04N Todos los transistores

 

PTP04N04N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PTP04N04N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 300 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 40 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 206 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Carga de compuerta (Qg): 50.8 nC

Tiempo de elevación (tr): 59 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 430 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.004 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PTP04N04N

 

PTP04N04N Datasheet (PDF)

1.1. ptp04n04n.pdf Size:865K _update-mosfet

PTP04N04N
PTP04N04N

PTP04N04N 40V N-Channel Trench MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Trench Technology 40V 3.0mΩ 206A RDS(ON),typ.=3.0m Ω@VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications DC-DC Converters DC-AC Inverters G Power Supply D S TO-220 Ordering Information Package No to Scale Part Number Packag

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