Справочник MOSFET. PTP04N04N

 

PTP04N04N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: PTP04N04N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 206 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 50.8 nC

Время нарастания (tr): 59 ns

Выходная емкость (Cd): 430 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.004 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для PTP04N04N

 

 

PTP04N04N Datasheet (PDF)

1.1. ptp04n04n.pdf Size:865K _update-mosfet

PTP04N04N
PTP04N04N

PTP04N04N 40V N-Channel Trench MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Trench Technology 40V 3.0mΩ 206A RDS(ON),typ.=3.0m Ω@VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications DC-DC Converters DC-AC Inverters G Power Supply D S TO-220 Ordering Information Package No to Scale Part Number Packag

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top