Справочник MOSFET. PTP04N04N

 

PTP04N04N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PTP04N04N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 206 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 59 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для PTP04N04N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTP04N04N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:865K  pipsemi
 ptp04n04n.pdf pdf_icon

PTP04N04N

PTP04N04N 40V N-Channel Trench MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Trench Technology 40V 3.0m 206A RDS(ON),typ.=3.0m @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications DC-DC Converters DC-AC Inverters G Power Supply D S TO-220 Ordering Information Package No to Scale Part Number Packag

 6.1. Size:577K  pipsemi
 ptp04n04a.pdf pdf_icon

PTP04N04N

PTP04N04A 40V N-Channel Planar MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 40V 4.0m 206A RDS(ON),typ.=4.0m @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications DC-DC Converters DC-AC Inverters G Power Supply D S TO-220 Ordering Information Part Number Package Brand Package No to

Другие MOSFET... UPA2593T1H , UPA2650T1E , UPA2670T1R , UPA2672T1R , UPA2680T1E , UPA2700GR , STQ1NC45 , RU7088R3 , IRF3205 , OSG55R190AF , OSG55R190DF , OSG55R190FF , OSG55R190PF , MDU2657 , JCS4N60V , JCS4N60R , JCS4N60S .

History: SMK0270D

 

 
Back to Top

 


 
.