PTP04N04N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PTP04N04N  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 206 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 59 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PTP04N04N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTP04N04N даташит

 ..1. Size:865K  pipsemi
 ptp04n04n.pdf pdf_icon

PTP04N04N

PTP04N04N 40V N-Channel Trench MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Trench Technology 40V 3.0m 206A RDS(ON),typ.=3.0m @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications DC-DC Converters DC-AC Inverters G Power Supply D S TO-220 Ordering Information Package No to Scale Part Number Packag

 6.1. Size:577K  pipsemi
 ptp04n04a.pdf pdf_icon

PTP04N04N

PTP04N04A 40V N-Channel Planar MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 40V 4.0m 206A RDS(ON),typ.=4.0m @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications DC-DC Converters DC-AC Inverters G Power Supply D S TO-220 Ordering Information Part Number Package Brand Package No to

Другие IGBT... UPA2593T1H, UPA2650T1E, UPA2670T1R, UPA2672T1R, UPA2680T1E, UPA2700GR, STQ1NC45, RU7088R3, IRFZ44N, OSG55R190AF, OSG55R190DF, OSG55R190FF, OSG55R190PF, MDU2657, JCS4N60V, JCS4N60R, JCS4N60S