MDU2657 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MDU2657
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 61.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
Paquete / Cubierta: POWERDFN56
Búsqueda de reemplazo de MDU2657 MOSFET
MDU2657 Datasheet (PDF)
mdu2657rh.pdf
MDU2657RHwww.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.007 at VGS = 10 V 6030 31 nC0.009 at VGS = 4.5 V 48APPLICATIONS OR-ingDFN5X6 Single DD ServerD 8 DC/DCD 7D 65G12 SS3 S
Otros transistores... UPA2700GR , STQ1NC45 , RU7088R3 , PTP04N04N , OSG55R190AF , OSG55R190DF , OSG55R190FF , OSG55R190PF , IRF540N , JCS4N60V , JCS4N60R , JCS4N60S , JCS4N60B , JCS4N60C , JCS4N60F , CMP1405 , CMB1405 .
History: BUK445-60H | FDMA86551L | R6030ENZ1 | RU1H150R | .8205P | JFPC11N50C
History: BUK445-60H | FDMA86551L | R6030ENZ1 | RU1H150R | .8205P | JFPC11N50C
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
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