MDU2657 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MDU2657  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 61.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm

Encapsulados: POWERDFN56

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MDU2657 datasheet

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MDU2657

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MDU2657

MDU2657RH www.VBsemi.com N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU 0.007 at VGS = 10 V 60 30 31 nC 0.009 at VGS = 4.5 V 48 APPLICATIONS OR-ing DFN5X6 Single D D Server D 8 DC/DC D 7 D 6 5 G 1 2 S S 3 S

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MDU2657

Otros transistores... UPA2700GR, STQ1NC45, RU7088R3, PTP04N04N, OSG55R190AF, OSG55R190DF, OSG55R190FF, OSG55R190PF, IRF540, JCS4N60V, JCS4N60R, JCS4N60S, JCS4N60B, JCS4N60C, JCS4N60F, CMP1405, CMB1405