MDU2657 Todos los transistores

 

MDU2657 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MDU2657
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 61.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERDFN56
 

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MDU2657 PDF Specs

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MDU2657RH www.VBsemi.com N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU 0.007 at VGS = 10 V 60 30 31 nC 0.009 at VGS = 4.5 V 48 APPLICATIONS OR-ing DFN5X6 Single D D Server D 8 DC/DC D 7 D 6 5 G 1 2 S S 3 S ... See More ⇒

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Otros transistores... UPA2700GR , STQ1NC45 , RU7088R3 , PTP04N04N , OSG55R190AF , OSG55R190DF , OSG55R190FF , OSG55R190PF , IRF540 , JCS4N60V , JCS4N60R , JCS4N60S , JCS4N60B , JCS4N60C , JCS4N60F , CMP1405 , CMB1405 .

 

 
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