MDU2657 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MDU2657  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 61.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm

Тип корпуса: POWERDFN56

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MDU2657

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDU2657 даташит

 ..1. Size:1639K  magnachip
 mdu2657.pdf pdf_icon

MDU2657

 0.1. Size:598K  cn vbsemi
 mdu2657rh.pdf pdf_icon

MDU2657

MDU2657RH www.VBsemi.com N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU 0.007 at VGS = 10 V 60 30 31 nC 0.009 at VGS = 4.5 V 48 APPLICATIONS OR-ing DFN5X6 Single D D Server D 8 DC/DC D 7 D 6 5 G 1 2 S S 3 S

 8.1. Size:137K  1
 mdu2653.pdf pdf_icon

MDU2657

Другие IGBT... UPA2700GR, STQ1NC45, RU7088R3, PTP04N04N, OSG55R190AF, OSG55R190DF, OSG55R190FF, OSG55R190PF, IRF540, JCS4N60V, JCS4N60R, JCS4N60S, JCS4N60B, JCS4N60C, JCS4N60F, CMP1405, CMB1405