MDU2657 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: MDU2657
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 61.7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
Тип корпуса: POWERDFN56
Аналог (замена) для MDU2657
MDU2657 Datasheet (PDF)
mdu2657rh.pdf
MDU2657RHwww.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.007 at VGS = 10 V 6030 31 nC0.009 at VGS = 4.5 V 48APPLICATIONS OR-ingDFN5X6 Single DD ServerD 8 DC/DCD 7D 65G12 SS3 S
Другие MOSFET... UPA2700GR , STQ1NC45 , RU7088R3 , PTP04N04N , OSG55R190AF , OSG55R190DF , OSG55R190FF , OSG55R190PF , IRF540N , JCS4N60V , JCS4N60R , JCS4N60S , JCS4N60B , JCS4N60C , JCS4N60F , CMP1405 , CMB1405 .
History: WMM07N100C2 | FMC20N50E | IPP120P04P4L-03 | AM10P20-1400D | HY3210PM | HRLFS136N10P
History: WMM07N100C2 | FMC20N50E | IPP120P04P4L-03 | AM10P20-1400D | HY3210PM | HRLFS136N10P
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
mn2488 datasheet | c2026 transistor | 2n3903 transistor | 2n4360 | 2n2613 | c2166 transistor | 2sd330 | 20n60