JCS4N60V MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JCS4N60V

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 51 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Carga de compuerta (Qg): 27 nC

Tiempo de elevación (tr): 55 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 65 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 2.5 Ohm

Empaquetado / Estuche: IPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET JCS4N60V

JCS4N60V Datasheet (PDF)

3.1. jcs4n60f.pdf Size:948K _update-mosfet

N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET JCS4N60 封装 Package 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 4.0 A ID 600 V VDSS Rdson 2.5Ω （@Vgs=10V） 27 nC Qg APPLICATIONS 用途 High efficiency switch 高频开关电源 mode power supplies 电子镇流器 Electronic lamp ballasts UPS 电源 based on half bridge UPS 产品特性

3.2. jcs4n60f.pdf Size:948K _jilin_sino

��N �lS��X:_�W:WHe�^vfSO�{ R N-CHANNEL MOSFET JCS4N60 \ň Package ;N��Spe MAIN CHARACTERISTICS 4.0 A ID 600 V VDSS Rdson 2.5� �@Vgs=10V � 27 nC Qg APPLICATIONS (u� High efficiency switch

4.1. jcs4n65f-c-r-v.pdf Size:779K _update

N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET JCS4N65C 封装 Package 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 4.0 A ID 650 V VDSS Rdson（Vgs=10V） 2.5Ω 9nC Qg APPLICATIONS 用途 High frequency switching 高频开关电源 mode power supply 电子镇流器 Electronic ballast UPS 电源 UPS 产品特性 FEATURES 低栅极电荷

4.2. jcs4n65f-c-r-v.pdf Size:779K _jilin_sino

��N �lS��X:_�W:WHe�^vfSO�{ R N-CHANNEL MOSFET JCS4N65C \ň Package ;N��Spe MAIN CHARACTERISTICS 4.0 A ID 650 V VDSS Rdson�Vgs=10V � 2.5� 9nC Qg APPLICATIONS (u� High frequency switching

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: