JCS4N60V MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JCS4N60V

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 51 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Carga de compuerta (Qg): 27 nC

Tiempo de elevación (tr): 55 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 65 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 2.5 Ohm

Empaquetado / Estuche: IPAK

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JCS4N60V Datasheet (PDF)

1.1. jcs4n60vb jcs4n60rb jcs4n60bb jcs4n60cb jcs4n60fb.pdf Size:1019K _1

N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET JCS4N60B 封装 Package 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 4.0 A ID 600 V VDSS Rdson（Vgs=10V） 2.4Ω 13.3nC Qg APPLICATIONS 用途 High efficiency switch 高频开关电源 mode power supplies 电子镇流器 Electronic lamp ballasts UPS 电源 based on half bridge UPS 产品特性

3.1. jcs4n60f.pdf Size:948K _jilin_sino

��N �lS��X:_�W:WHe�^vfSO�{ R N-CHANNEL MOSFET JCS4N60 \ň Package ;N��Spe MAIN CHARACTERISTICS 4.0 A ID 600 V VDSS Rdson 2.5� �@Vgs=10V � 27 nC Qg APPLICATIONS (u� High efficiency switch

4.1. jcs4n65f-c-r-v.pdf Size:779K _jilin_sino

��N �lS��X:_�W:WHe�^vfSO�{ R N-CHANNEL MOSFET JCS4N65C \ň Package ;N��Spe MAIN CHARACTERISTICS 4.0 A ID 650 V VDSS Rdson�Vgs=10V � 2.5� 9nC Qg APPLICATIONS (u� High frequency switching

Otros transistores... STQ1NC45 , RU7088R3 , PTP04N04N , OSG55R190AF , OSG55R190DF , OSG55R190FF , OSG55R190PF , MDU2657 , IRF640 , JCS4N60R , JCS4N60S , JCS4N60B , JCS4N60C , JCS4N60F , CMP1405 , CMB1405 , UPA2701GR .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: