JCS4N60V MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: JCS4N60V
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 51 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 27 nC
Время нарастания (tr): 55 ns
Выходная емкость (Cd): 65 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.5 Ohm
Тип корпуса: IPAK
JCS4N60V Datasheet (PDF)
1.1. jcs4n60vb jcs4n60rb jcs4n60bb jcs4n60cb jcs4n60fb.pdf 
Size:1019K _1
N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET JCS4N60B 封装 Package 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 4.0 A ID 600 V VDSS Rdson（Vgs=10V） 2.4Ω 13.3nC Qg APPLICATIONS 用途 High efficiency switch 高频开关电源 mode power supplies 电子镇流器 Electronic lamp ballasts UPS 电源 based on half bridge UPS 产品特性
3.1. jcs4n60f.pdf Size:948K _jilin_sino
N lSX:_W:WHe^vfSO{ R N - C H A N N E L M O S F E T J C S 4 N 6 0 \ň P a c k a g e ;NSpe M A I N C H A R A C T E R I S T I C S 4 . 0 A I D 6 0 0 V V D S S R d s o n 2 . 5 @ V g s = 1 0 V 2 7 n C Q g A P P L I C A T I O N S (u H i g h e f f i c i e n c y s w i t c h
4.1. jcs4n65f-c-r-v.pdf Size:779K _jilin_sino
N lSX:_W:WHe^vfSO{ R N - C H A N N E L M O S F E T J C S 4 N 6 5 C \ň P a c k a g e ;NSpe M A I N C H A R A C T E R I S T I C S 4 . 0 A I D 6 5 0 V V D S S R d s o n V g s = 1 0 V 2 . 5 9 n C Q g A P P L I C A T I O N S (u H i g h f r e q u e n c y s w i t c h i n g
Другие MOSFET... SQD100N03-3M2L , SQD100N03-3M4 , SQD100N04-3M6 , SQD100N04-3M6L , SQD10N30-330H , SQD15N06-42L , SQD19P06-60L , SQD23N06-31L , IRF9530 , SQD25N15-52 , SQD30N05-20L , SQD35N05-26L , SQD40N04-10A , SQD40N06-14L , SQD40N10-25 , SQD40P10-40L , SQD45P03-12 .
