Справочник MOSFET. JCS4N60V

 

JCS4N60V MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: JCS4N60V

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 51 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 27 nC

Время нарастания (tr): 55 ns

Выходная емкость (Cd): 65 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.5 Ohm

Тип корпуса: IPAK

Аналог (замена) для JCS4N60V

 

 

JCS4N60V Datasheet (PDF)

3.1. jcs4n60f.pdf Size:948K _update-mosfet

JCS4N60V JCS4N60V

N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET JCS4N60 封装 Package 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 4.0 A ID 600 V VDSS Rdson 2.5Ω （@Vgs=10V） 27 nC Qg APPLICATIONS 用途 High efficiency switch 高频开关电源 mode power supplies 电子镇流器 Electronic lamp ballasts UPS 电源 based on half bridge UPS 产品特性

4.1. jcs4n65f-c-r-v.pdf Size:779K _update

JCS4N60V JCS4N60V

N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET JCS4N65C 封装 Package 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 4.0 A ID 650 V VDSS Rdson（Vgs=10V） 2.5Ω 9nC Qg APPLICATIONS 用途 High frequency switching 高频开关电源 mode power supply 电子镇流器 Electronic ballast UPS 电源 UPS 产品特性 FEATURES 低栅极电荷

 

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top