Справочник MOSFET. JCS4N60V

 

JCS4N60V MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: JCS4N60V

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 51 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 27 nC

Время нарастания (tr): 55 ns

Выходная емкость (Cd): 65 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.5 Ohm

Тип корпуса: IPAK

Аналог (замена) для JCS4N60V

 

 

JCS4N60V Datasheet (PDF)

1.1. jcs4n60vb jcs4n60rb jcs4n60bb jcs4n60cb jcs4n60fb.pdf Size:1019K _1

JCS4N60V
JCS4N60V

N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET JCS4N60B 封装 Package 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 4.0 A ID 600 V VDSS Rdson(Vgs=10V) 2.4Ω 13.3nC Qg APPLICATIONS 用途 High efficiency switch 高频开关电源 mode power supplies 电子镇流器 Electronic lamp ballasts UPS 电源 based on half bridge UPS 产品特性

3.1. jcs4n60f.pdf Size:948K _jilin_sino

JCS4N60V
JCS4N60V

N lSX:_W:WHe^vfSO{ R N-CHANNEL MOSFET JCS4N60 \ň Package ;NSpe MAIN CHARACTERISTICS 4.0 A ID 600 V VDSS Rdson 2.5 @Vgs=10V 27 nC Qg APPLICATIONS (u High efficiency switch

 4.1. jcs4n65f-c-r-v.pdf Size:779K _jilin_sino

JCS4N60V
JCS4N60V

N lSX:_W:WHe^vfSO{ R N-CHANNEL MOSFET JCS4N65C \ň Package ;NSpe MAIN CHARACTERISTICS 4.0 A ID 650 V VDSS RdsonVgs=10V 2.5 9nC Qg APPLICATIONS (u High frequency switching

Другие MOSFET... SQD100N03-3M2L , SQD100N03-3M4 , SQD100N04-3M6 , SQD100N04-3M6L , SQD10N30-330H , SQD15N06-42L , SQD19P06-60L , SQD23N06-31L , IRF9530 , SQD25N15-52 , SQD30N05-20L , SQD35N05-26L , SQD40N04-10A , SQD40N06-14L , SQD40N10-25 , SQD40P10-40L , SQD45P03-12 .

 

 
Back to Top