Справочник MOSFET. JCS4N60V

 

JCS4N60V MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: JCS4N60V
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 51 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 27 nC
   Время нарастания (tr): 55 ns
   Выходная емкость (Cd): 65 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.5 Ohm
   Тип корпуса: IPAK

 Аналог (замена) для JCS4N60V

 

 

JCS4N60V Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1304K  jilin sino
jcs4n60v jcs4n60c jcs4n60f jcs4n60r jcs4n60b.pdf

JCS4N60V JCS4N60V

N RN-CHANNEL MOSFET JCS4N60C MAIN CHARACTERISTICS Package ID 4.0 A VDSS 600 V Rdson Typ 2.0 Vgs=10V Max 2.5 Qg-typ 17.5nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply

 ..2. Size:1259K  jilin sino
jcs4n60f jcs4n60f jcs4n60v jcs4n60r jcs4n60b.pdf

JCS4N60V JCS4N60V

R JCS4N60E JCS4N60E MAIN CHARACTERISTICS Package ID 4.0 A VDSS 600 V Rdson_max 2.35 Vgs=10V Qg-typ 11.8nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply FEATURES Low

 0.1. Size:1019K  1
jcs4n60vb jcs4n60rb jcs4n60bb jcs4n60cb jcs4n60fb.pdf

JCS4N60V JCS4N60V

N RN-CHANNEL MOSFETJCS4N60B Package MAIN CHARACTERISTICS 4.0 A ID 600 V VDSS RdsonVgs=10V 2.4 13.3nC Qg APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge UPS

 0.2. Size:1045K  jilin sino
jcs4n60vb jcs4n60rb jcs4n60bb jcs4n60sb jcs4n60cb jcs4n60fb.pdf

JCS4N60V JCS4N60V

N RN-CHANNEL MOSFET JCS4N60B Package MAIN CHARACTERISTICS ID 4.0 A VDSS 600 V 2.4 RdsonVgs=10VQg 18.1nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LED power su

 7.1. Size:948K  jilin sino
jcs4n60f.pdf

JCS4N60V JCS4N60V

N lSX:_W:WHe^vfSO{RN-CHANNEL MOSFETJCS4N60 \ Package ;NSpe MAIN CHARACTERISTICS 4.0 A ID 600 V VDSS Rdson 2.5 @Vgs=10V27 nC Qg APPLICATIONS (u High efficiency switch

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: STD3NM60-1

 

 
Back to Top