UPA3753GR Todos los transistores

 

UPA3753GR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: UPA3753GR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.85 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3.7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 72 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.056 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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UPA3753GR Datasheet (PDF)

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UPA3753GR

Data SheetPA3753GR R07DS0758EJ0100Rev.1.00May 25, 2012MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The PA3753GR is Dual N-channel MOS Field Effect Transistors designed for switching application. Features Dual chip type Low on-state resistance RDS(on) = 56 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 2.5 A) RDS(on) = 72 m MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 2.5 A) Low gate charg

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History: IRF6621 | OSG60R190FT3ZF

 

 
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