UPA3753GR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UPA3753GR
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.85 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3.7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 72 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.056 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
- Selección de transistores por parámetros
UPA3753GR Datasheet (PDF)
upa3753gr.pdf

Data SheetPA3753GR R07DS0758EJ0100Rev.1.00May 25, 2012MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The PA3753GR is Dual N-channel MOS Field Effect Transistors designed for switching application. Features Dual chip type Low on-state resistance RDS(on) = 56 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 2.5 A) RDS(on) = 72 m MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 2.5 A) Low gate charg
Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: HUFA76423S3ST | STB7NK80Z | P06P03LDG | HM12N20D | NCE65TF099F | FDP52N20
History: HUFA76423S3ST | STB7NK80Z | P06P03LDG | HM12N20D | NCE65TF099F | FDP52N20



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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