Справочник MOSFET. UPA3753GR

 

UPA3753GR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: UPA3753GR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.85 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 3.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.056 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

UPA3753GR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:135K  renesas
 upa3753gr.pdf pdf_icon

UPA3753GR

Data SheetPA3753GR R07DS0758EJ0100Rev.1.00May 25, 2012MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The PA3753GR is Dual N-channel MOS Field Effect Transistors designed for switching application. Features Dual chip type Low on-state resistance RDS(on) = 56 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 2.5 A) RDS(on) = 72 m MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 2.5 A) Low gate charg

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: IRLZ20 | PSMN2R7-30PL | NDT6N70 | SVF5N65F | FQPF8N60CF | IPD50R280CE | SSF3365

 

 
Back to Top

 


 
.