UPA3753GR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: UPA3753GR
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.85 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 3.7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.056 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
Аналог (замена) для UPA3753GR
UPA3753GR Datasheet (PDF)
upa3753gr.pdf

Data SheetPA3753GR R07DS0758EJ0100Rev.1.00May 25, 2012MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The PA3753GR is Dual N-channel MOS Field Effect Transistors designed for switching application. Features Dual chip type Low on-state resistance RDS(on) = 56 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 2.5 A) RDS(on) = 72 m MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 2.5 A) Low gate charg
Другие MOSFET... UPA2814T1S , UPA2815T1S , UPA2816T1S , UPA2820T1S , UPA2821T1L , UPA2822T1L , UPA2825T1S , UPA2826T1S , IRFP064N , UPA503CT , UPA572CT , UPA573CT , UPA602CT , UPA603CT , UPA621TT , UPA622TT , UPA650TT .
History: PSMN1R0-30YLC | HFD1N60S | 2SK1818-MR | 2SK1465 | ZXMN6A09K | FQD14N15TM | IRF520NLPBF
History: PSMN1R0-30YLC | HFD1N60S | 2SK1818-MR | 2SK1465 | ZXMN6A09K | FQD14N15TM | IRF520NLPBF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
mj15003g | oc75 transistor | irfp260m | 2sc1213 | a1491 transistor | 2sc897 | 2sa818 | 2sa763