US5U29TR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: US5U29TR
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.39 Ohm
Paquete / Cubierta: TSMT5
Búsqueda de reemplazo de US5U29TR MOSFET
US5U29TR Datasheet (PDF)
us5u29tr.pdf

US5U29 Transistor Small switching (20V, 1.5A) US5U29 Features External dimensions (Unit : mm) 1) The US5U29 conbines Pch MOSFET with a (4) (3)(2)Schottky barrier diode in a single TSMT5 package. (5) (1)2) Pch MOSFET have a low on-state resistance with a fast switching. 0.2 1.7 0.22.13) Pch MOSFET is reacted a low voltage drive(2.5V) 4) The Independently con
us5u2.pdf

US5U2 Transistors 4V Drive Nch+SBD MOSFET US5U2 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET / TUMT5Schottky barrier diode 2.01.3 Features 1) Nch MOSFET and schottky barrier diode are put in TUMT5 package. 2) High-speed switching, Low On-resistance. 3) 4V drive. 4) Built-in Low VF schottky barrier diode. Abbreviated symbol : U02 ApplicationsSwi
Otros transistores... UPA602CT , UPA603CT , UPA621TT , UPA622TT , UPA650TT , UPA651TT , US5U1 , US5U2 , IRFZ44 , US5U3 , US5U30 , US5U35 , US5U38 , US6J11 , US6K1 , US6K2 , US6K4 .



Liste
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