US5U29TR Todos los transistores

 

US5U29TR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: US5U29TR

Código: U29

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 20 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 12 V

Corriente continua de drenaje (Id): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2 V

Carga de compuerta (Qg): 2.1 nC

Tiempo de elevación (tr): 8 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 20 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.39 Ohm

Empaquetado / Estuche: TSMT5

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US5U29TR Datasheet (PDF)

1.1. us5u29tr.pdf Size:72K _update-mosfet

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US5U29 Transistor Small switching (–20V, –1.5A) US5U29 Features External dimensions (Unit : mm) 1) The US5U29 conbines Pch MOSFET with a (4) (3) (2) Schottky barrier diode in a single TSMT5 package. (5) (1) 2) Pch MOSFET have a low on-state resistance with a fast switching. 0.2 1.7 0.2 2.1 3) Pch MOSFET is reacted a low voltage drive(2.5V) 4) The Independently con

5.1. us5u2.pdf Size:67K _update-mosfet

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US5U2 Transistors 4V Drive Nch+SBD MOSFET US5U2 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET / TUMT5 Schottky barrier diode 2.0 1.3 Features 1) Nch MOSFET and schottky barrier diode are put in TUMT5 package. 2) High-speed switching, Low On-resistance. 3) 4V drive. 4) Built-in Low VF schottky barrier diode. Abbreviated symbol : U02 Applications Swi

5.2. us5u2.pdf Size:77K _rohm

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US5U2 Transistors 4V Drive Nch+SBD MOSFET US5U2 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET / TUMT5 Schottky barrier diode 2.0 1.3 Features 1) Nch MOSFET and schottky barrier diode are put in TUMT5 package. 2) High-speed switching, Low On-resistance. 3) 4V drive. 4) Built-in Low VF schottky barrier diode. Abbreviated symbol : U02 Applications Switch

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