US5U29TR Todos los transistores

 

US5U29TR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: US5U29TR
   Código: U29
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 2.1 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.39 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSMT5
 

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US5U29TR Datasheet (PDF)

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US5U29TR

US5U29 Transistor Small switching (20V, 1.5A) US5U29 Features External dimensions (Unit : mm) 1) The US5U29 conbines Pch MOSFET with a (4) (3)(2)Schottky barrier diode in a single TSMT5 package. (5) (1)2) Pch MOSFET have a low on-state resistance with a fast switching. 0.2 1.7 0.22.13) Pch MOSFET is reacted a low voltage drive(2.5V) 4) The Independently con

 9.1. Size:67K  rohm
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US5U29TR

US5U2 Transistors 4V Drive Nch+SBD MOSFET US5U2 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET / TUMT5Schottky barrier diode 2.01.3 Features 1) Nch MOSFET and schottky barrier diode are put in TUMT5 package. 2) High-speed switching, Low On-resistance. 3) 4V drive. 4) Built-in Low VF schottky barrier diode. Abbreviated symbol : U02 ApplicationsSwi

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