US5U29TR - описание и поиск аналогов

 

US5U29TR. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: US5U29TR

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.39 Ohm

Тип корпуса: TSMT5

Аналог (замена) для US5U29TR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

US5U29TR даташит

 ..1. Size:72K  rohm
 us5u29tr.pdf pdf_icon

US5U29TR

US5U29 Transistor Small switching ( 20V, 1.5A) US5U29 Features External dimensions (Unit mm) 1) The US5U29 conbines Pch MOSFET with a (4) (3) (2) Schottky barrier diode in a single TSMT5 package. (5) (1) 2) Pch MOSFET have a low on-state resistance with a fast switching. 0.2 1.7 0.2 2.1 3) Pch MOSFET is reacted a low voltage drive(2.5V) 4) The Independently con

 9.1. Size:67K  rohm
 us5u2.pdf pdf_icon

US5U29TR

US5U2 Transistors 4V Drive Nch+SBD MOSFET US5U2 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET / TUMT5 Schottky barrier diode 2.0 1.3 Features 1) Nch MOSFET and schottky barrier diode are put in TUMT5 package. 2) High-speed switching, Low On-resistance. 3) 4V drive. 4) Built-in Low VF schottky barrier diode. Abbreviated symbol U02 Applications Swi

Другие MOSFET... UPA602CT , UPA603CT , UPA621TT , UPA622TT , UPA650TT , UPA651TT , US5U1 , US5U2 , IRF640 , US5U3 , US5U30 , US5U35 , US5U38 , US6J11 , US6K1 , US6K2 , US6K4 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.