Справочник MOSFET. US5U29TR

 

US5U29TR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: US5U29TR
   Маркировка: U29
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 2.1 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.39 Ohm
   Тип корпуса: TSMT5
 

 Аналог (замена) для US5U29TR

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

US5U29TR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:72K  rohm
 us5u29tr.pdf pdf_icon

US5U29TR

US5U29 Transistor Small switching (20V, 1.5A) US5U29 Features External dimensions (Unit : mm) 1) The US5U29 conbines Pch MOSFET with a (4) (3)(2)Schottky barrier diode in a single TSMT5 package. (5) (1)2) Pch MOSFET have a low on-state resistance with a fast switching. 0.2 1.7 0.22.13) Pch MOSFET is reacted a low voltage drive(2.5V) 4) The Independently con

 9.1. Size:67K  rohm
 us5u2.pdf pdf_icon

US5U29TR

US5U2 Transistors 4V Drive Nch+SBD MOSFET US5U2 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET / TUMT5Schottky barrier diode 2.01.3 Features 1) Nch MOSFET and schottky barrier diode are put in TUMT5 package. 2) High-speed switching, Low On-resistance. 3) 4V drive. 4) Built-in Low VF schottky barrier diode. Abbreviated symbol : U02 ApplicationsSwi

Другие MOSFET... UPA602CT , UPA603CT , UPA621TT , UPA622TT , UPA650TT , UPA651TT , US5U1 , US5U2 , IRFP460 , US5U3 , US5U30 , US5U35 , US5U38 , US6J11 , US6K1 , US6K2 , US6K4 .

 

 
Back to Top

 


 
.