US6K1 Todos los transistores

 

US6K1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: US6K1

Código: K01

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 12 V

Corriente continua de drenaje (Id): 1.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 1.5 V

Carga de compuerta (Qg): 1.6 nC

Tiempo de elevación (tr): 9 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 13 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.24 Ohm

Empaquetado / Estuche: TUMT6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET US6K1

 

US6K1 Datasheet (PDF)

1.1. us6k1.pdf Size:121K _update-mosfet

US6K1
US6K1

2.5V Drive Nch+Nch MOSFET US6K1 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TUMT6 Features 1) Low On-resistance. 2) Space savingsmall surface mount package (TUMT6). 3) Low voltage drive (2.5V drive). Abbreviated symbol : K01 Applications Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping (6) (5) (4) Type Code TR Basic ordering unit

1.2. us6k1.pdf Size:186K _rohm

US6K1
US6K1

2.5V Drive Nch+Nch MOSFET US6K1 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TUMT6 Features 1) Low On-resistance. 2) Space saving?small surface mount package (TUMT6). ? 3) Low voltage drive (2.5V drive). Abbreviated symbol : K01 Applications Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping (6) (5) (4) Type Code TR Basic ordering unit (pie

 

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