US6K1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: US6K1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 13 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.24 Ohm
Encapsulados: TUMT6
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US6K1 datasheet
us6k1.pdf
2.5V Drive Nch+Nch MOSFET US6K1 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET TUMT6 Features 1) Low On-resistance. 2) Space saving small surface mount package (TUMT6). 3) Low voltage drive (2.5V drive). Abbreviated symbol K01 Applications Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping (6) (5) (4) Type Code TR Basic ordering unit
Otros transistores... US5U1 , US5U2 , US5U29TR , US5U3 , US5U30 , US5U35 , US5U38 , US6J11 , AO3400 , US6K2 , US6K4 , US6M1 , US6M11 , US6M2 , US6U37 , AM4437P , AON6718L .
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