US6K1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: US6K1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 13 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.24 Ohm
Paquete / Cubierta: TUMT6
Búsqueda de reemplazo de US6K1 MOSFET
US6K1 Datasheet (PDF)
us6k1.pdf
2.5V Drive Nch+Nch MOSFET US6K1 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TUMT6 Features 1) Low On-resistance. 2) Space savingsmall surface mount package (TUMT6). 3) Low voltage drive (2.5V drive). Abbreviated symbol : K01 ApplicationsSwitching Packaging specifications Inner circuit Package Taping (6) (5) (4)Type Code TRBasic ordering unit
Otros transistores... US5U1 , US5U2 , US5U29TR , US5U3 , US5U30 , US5U35 , US5U38 , US6J11 , AO3400 , US6K2 , US6K4 , US6M1 , US6M11 , US6M2 , US6U37 , AM4437P , AON6718L .
Liste
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