US6K1 Todos los transistores

 

US6K1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: US6K1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 13 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.24 Ohm

Encapsulados: TUMT6

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US6K1 datasheet

 ..1. Size:121K  rohm
us6k1.pdf pdf_icon

US6K1

2.5V Drive Nch+Nch MOSFET US6K1 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET TUMT6 Features 1) Low On-resistance. 2) Space saving small surface mount package (TUMT6). 3) Low voltage drive (2.5V drive). Abbreviated symbol K01 Applications Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping (6) (5) (4) Type Code TR Basic ordering unit

Otros transistores... US5U1 , US5U2 , US5U29TR , US5U3 , US5U30 , US5U35 , US5U38 , US6J11 , AO3400 , US6K2 , US6K4 , US6M1 , US6M11 , US6M2 , US6U37 , AM4437P , AON6718L .

 

 

 


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MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG

 

 

 

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