Справочник MOSFET. US6K1

 

US6K1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: US6K1
   Маркировка: K01
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 1.6 nC
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 13 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm
   Тип корпуса: TUMT6

 Аналог (замена) для US6K1

 

 

US6K1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:121K  rohm
 us6k1.pdf

US6K1 US6K1

2.5V Drive Nch+Nch MOSFET US6K1 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TUMT6 Features 1) Low On-resistance. 2) Space savingsmall surface mount package (TUMT6). 3) Low voltage drive (2.5V drive). Abbreviated symbol : K01 ApplicationsSwitching Packaging specifications Inner circuit Package Taping (6) (5) (4)Type Code TRBasic ordering unit

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top