Справочник MOSFET. US6K1

 

US6K1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: US6K1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 13 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm
   Тип корпуса: TUMT6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

US6K1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:121K  rohm
 us6k1.pdf pdf_icon

US6K1

2.5V Drive Nch+Nch MOSFET US6K1 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TUMT6 Features 1) Low On-resistance. 2) Space savingsmall surface mount package (TUMT6). 3) Low voltage drive (2.5V drive). Abbreviated symbol : K01 ApplicationsSwitching Packaging specifications Inner circuit Package Taping (6) (5) (4)Type Code TRBasic ordering unit

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: OSS60R099PF | 640 | IRFD014PBF | VBE16R02 | IRF830P | KCF3650A | ZXMN10A08G

 

 
Back to Top

 


 
.