Справочник MOSFET. US6K1

 

US6K1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: US6K1
   Маркировка: K01
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 1.6 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 13 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm
   Тип корпуса: TUMT6
 

 Аналог (замена) для US6K1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

US6K1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:121K  rohm
 us6k1.pdf pdf_icon

US6K1

2.5V Drive Nch+Nch MOSFET US6K1 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TUMT6 Features 1) Low On-resistance. 2) Space savingsmall surface mount package (TUMT6). 3) Low voltage drive (2.5V drive). Abbreviated symbol : K01 ApplicationsSwitching Packaging specifications Inner circuit Package Taping (6) (5) (4)Type Code TRBasic ordering unit

Другие MOSFET... US5U1 , US5U2 , US5U29TR , US5U3 , US5U30 , US5U35 , US5U38 , US6J11 , IRF3710 , US6K2 , US6K4 , US6M1 , US6M11 , US6M2 , US6U37 , AM4437P , AON6718L .

History: SSM20N03S

 

 
Back to Top

 


 
.