US6K1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: US6K1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 13 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm

Тип корпуса: TUMT6

Аналог (замена) для US6K1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

US6K1 даташит

 ..1. Size:121K  rohm
 us6k1.pdf pdf_icon

US6K1

2.5V Drive Nch+Nch MOSFET US6K1 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET TUMT6 Features 1) Low On-resistance. 2) Space saving small surface mount package (TUMT6). 3) Low voltage drive (2.5V drive). Abbreviated symbol K01 Applications Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping (6) (5) (4) Type Code TR Basic ordering unit

Другие IGBT... US5U1, US5U2, US5U29TR, US5U3, US5U30, US5U35, US5U38, US6J11, AO3400, US6K2, US6K4, US6M1, US6M11, US6M2, US6U37, AM4437P, AON6718L