US6K2 Todos los transistores

 

US6K2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: US6K2

Código: K02

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.7 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 1.4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.5 V

Carga de compuerta (Qg): 1.4 nC

Tiempo de elevación (tr): 6 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 15 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.24 Ohm

Empaquetado / Estuche: TUMT6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET US6K2

 

US6K2 Datasheet (PDF)

1.1. us6k2.pdf Size:66K _update-mosfet

US6K2
US6K2

US6K2 Transistors 4V Drive Nch+Nch MOSFET US6K2 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TUMT6 Features 1) Two Nch MOSFETs are put in TUMT6 package. 2) High-speed switching, Low On-resistance. 3) 4V drive. Abbreviated symbol : K02 Applications Switching Packaging specifications Inner circuit (6) (5) (4) Package Taping Type Code TR ∗1 Basic

1.2. us6k2.pdf Size:77K _rohm

US6K2
US6K2

US6K2 Transistors 4V Drive Nch+Nch MOSFET US6K2 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TUMT6 Features 1) Two Nch MOSFETs are put in TUMT6 package. 2) High-speed switching, Low On-resistance. 3) 4V drive. Abbreviated symbol : K02 Applications Switching Packaging specifications Inner circuit (6) (5) (4) Package Taping Type Code TR ?1 Basic orde

 

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