US6K2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: US6K2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.7 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 15 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.24 Ohm
Paquete / Cubierta: TUMT6
Búsqueda de reemplazo de US6K2 MOSFET
US6K2 Datasheet (PDF)
us6k2.pdf

US6K2 Transistors 4V Drive Nch+Nch MOSFET US6K2 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TUMT6 Features 1) Two Nch MOSFETs are put in TUMT6 package. 2) High-speed switching, Low On-resistance. 3) 4V drive. Abbreviated symbol : K02 ApplicationsSwitching Packaging specifications Inner circuit (6) (5) (4)Package TapingType Code TR1Basic
Otros transistores... US5U2 , US5U29TR , US5U3 , US5U30 , US5U35 , US5U38 , US6J11 , US6K1 , IRF3710 , US6K4 , US6M1 , US6M11 , US6M2 , US6U37 , AM4437P , AON6718L , APM3009NF .
History: IPB120N04S4L-02
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Liste
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