US6K2 Todos los transistores

 

US6K2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: US6K2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 15 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.24 Ohm
   Paquete / Cubierta: TUMT6
 

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US6K2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:66K  rohm
 us6k2.pdf pdf_icon

US6K2

US6K2 Transistors 4V Drive Nch+Nch MOSFET US6K2 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TUMT6 Features 1) Two Nch MOSFETs are put in TUMT6 package. 2) High-speed switching, Low On-resistance. 3) 4V drive. Abbreviated symbol : K02 ApplicationsSwitching Packaging specifications Inner circuit (6) (5) (4)Package TapingType Code TR1Basic

Otros transistores... US5U2 , US5U29TR , US5U3 , US5U30 , US5U35 , US5U38 , US6J11 , US6K1 , AON6414A , US6K4 , US6M1 , US6M11 , US6M2 , US6U37 , AM4437P , AON6718L , APM3009NF .

History: BRCS030N10SHRA | AOD442 | 2N7002-7 | IRHMB57Z60 | PNMTOF600V7 | 2SK3826 | FQB9N50CTM

 

 
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