Справочник MOSFET. US6K2

 

US6K2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: US6K2
   Маркировка: K02
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 1.4 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm
   Тип корпуса: TUMT6
 

 Аналог (замена) для US6K2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

US6K2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:66K  rohm
 us6k2.pdf pdf_icon

US6K2

US6K2 Transistors 4V Drive Nch+Nch MOSFET US6K2 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TUMT6 Features 1) Two Nch MOSFETs are put in TUMT6 package. 2) High-speed switching, Low On-resistance. 3) 4V drive. Abbreviated symbol : K02 ApplicationsSwitching Packaging specifications Inner circuit (6) (5) (4)Package TapingType Code TR1Basic

Другие MOSFET... US5U2 , US5U29TR , US5U3 , US5U30 , US5U35 , US5U38 , US6J11 , US6K1 , AON6414A , US6K4 , US6M1 , US6M11 , US6M2 , US6U37 , AM4437P , AON6718L , APM3009NF .

History: 3SK318

 

 
Back to Top

 


 
.