US6K4 Todos los transistores

 

US6K4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: US6K4

Código: K04

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.7 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 20 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 10 V

Corriente continua de drenaje (Id): 1.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 1 V

Carga de compuerta (Qg): 1.8 nC

Tiempo de elevación (tr): 5 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 18 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.18 Ohm

Empaquetado / Estuche: TUMT6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET US6K4

 

US6K4 Datasheet (PDF)

1.1. us6k4.pdf Size:68K _update-mosfet

US6K4
US6K4

US6K4 Transistors 1.8V Drive Nch+Nch MOSFET US6K4 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TUMT6 Features 1) Two Nch MOSFETs are put in TUMT6 package. 2) High-speed switching, Low On-resistance. 3) 1.8V drive. Abbreviated symbol : K04 Applications Switching Packaging specifications Inner circuit (6) (5) (4) Package Taping Type Code TR Basic o

1.2. us6k4.pdf Size:92K _rohm

US6K4
US6K4

US6K4 Transistors 1.8V Drive Nch+Nch MOSFET US6K4 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TUMT6 Features 1) Two Nch MOSFETs are put in TUMT6 package. 2) High-speed switching, Low On-resistance. 3) 1.8V drive. Abbreviated symbol : K04 Applications Switching Packaging specifications Inner circuit (6) (5) (4) Package Taping Type Code TR Basic orde

 

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