US6K4 Todos los transistores

 

US6K4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: US6K4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 18 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
   Paquete / Cubierta: TUMT6
 

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US6K4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:68K  rohm
 us6k4.pdf pdf_icon

US6K4

US6K4 Transistors 1.8V Drive Nch+Nch MOSFET US6K4 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TUMT6 Features 1) Two Nch MOSFETs are put in TUMT6 package. 2) High-speed switching, Low On-resistance. 3) 1.8V drive. Abbreviated symbol : K04 ApplicationsSwitching Packaging specifications Inner circuit (6) (5) (4)Package TapingType Code TRBasic o

Otros transistores... US5U29TR , US5U3 , US5U30 , US5U35 , US5U38 , US6J11 , US6K1 , US6K2 , P55NF06 , US6M1 , US6M11 , US6M2 , US6U37 , AM4437P , AON6718L , APM3009NF , APM3009NG .

History: 2SJ504 | NCE65TF099T | APT50M65JFLL | 1N70Z | IPD12CNE8NG | SI3457BDV | SSF1502G5

 

 
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