Справочник MOSFET. US6K4

 

US6K4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: US6K4
   Маркировка: K04
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 1.8 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 18 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: TUMT6
 

 Аналог (замена) для US6K4

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

US6K4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:68K  rohm
 us6k4.pdf pdf_icon

US6K4

US6K4 Transistors 1.8V Drive Nch+Nch MOSFET US6K4 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TUMT6 Features 1) Two Nch MOSFETs are put in TUMT6 package. 2) High-speed switching, Low On-resistance. 3) 1.8V drive. Abbreviated symbol : K04 ApplicationsSwitching Packaging specifications Inner circuit (6) (5) (4)Package TapingType Code TRBasic o

Другие MOSFET... US5U29TR , US5U3 , US5U30 , US5U35 , US5U38 , US6J11 , US6K1 , US6K2 , P55NF06 , US6M1 , US6M11 , US6M2 , US6U37 , AM4437P , AON6718L , APM3009NF , APM3009NG .

History: AP10C325Y

 

 
Back to Top

 


 
.