Справочник MOSFET. US6K4

 

US6K4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: US6K4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 18 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: TUMT6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

US6K4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:68K  rohm
 us6k4.pdf pdf_icon

US6K4

US6K4 Transistors 1.8V Drive Nch+Nch MOSFET US6K4 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TUMT6 Features 1) Two Nch MOSFETs are put in TUMT6 package. 2) High-speed switching, Low On-resistance. 3) 1.8V drive. Abbreviated symbol : K04 ApplicationsSwitching Packaging specifications Inner circuit (6) (5) (4)Package TapingType Code TRBasic o

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: HAF2007S | SRC60R064S | BRCS30N02DP | MEE7816S | IRFL110TR | SFP028N100C3 | MS65R120C

 

 
Back to Top

 


 
.