US6M2 Todos los transistores

 

US6M2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: US6M2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 13 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.24 Ohm
   Paquete / Cubierta: TUMT6
 

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US6M2 Datasheet (PDF)

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US6M2

US6M2 Transistors 2.5V Drive Nch+Pch MOSFET US6M2 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET / TUMT6Silicon P-channel MOSFET Features 1) Nch MOSFET and Pch MOSFET are put in TUMT6 package. 2) High-speed switching, low On-resistance. 3) Low voltage drive (2.5V drive). 4) Built-in G-S Protection Diode. Abbreviated symbol : M02 ApplicationsSwitching

Otros transistores... US5U35 , US5U38 , US6J11 , US6K1 , US6K2 , US6K4 , US6M1 , US6M11 , IRFP250N , US6U37 , AM4437P , AON6718L , APM3009NF , APM3009NG , APM3009NU , APM3023NU , APM3023NV .

History: 2SK3829 | AP90T10GP-HF | BSC340N08NS3G | JCS18N25RC | PHD22NQ20T | AOT1100L | PSMN1R2-25YL

 

 
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