US6M2 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

US6M2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: US6M2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 13 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.24 Ohm

Encapsulados: TUMT6

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US6M2 datasheet

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US6M2 Transistors 2.5V Drive Nch+Pch MOSFET US6M2 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET / TUMT6 Silicon P-channel MOSFET Features 1) Nch MOSFET and Pch MOSFET are put in TUMT6 package. 2) High-speed switching, low On-resistance. 3) Low voltage drive (2.5V drive). 4) Built-in G-S Protection Diode. Abbreviated symbol M02 Applications Switching

Otros transistores... US5U35, US5U38, US6J11, US6K1, US6K2, US6K4, US6M1, US6M11, IRFB4115, US6U37, AM4437P, AON6718L, APM3009NF, APM3009NG, APM3009NU, APM3023NU, APM3023NV

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