US6M2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: US6M2  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 13 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm

Тип корпуса: TUMT6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для US6M2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

US6M2 даташит

 ..1. Size:58K  rohm
 us6m2.pdf pdf_icon

US6M2

US6M2 Transistors 2.5V Drive Nch+Pch MOSFET US6M2 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET / TUMT6 Silicon P-channel MOSFET Features 1) Nch MOSFET and Pch MOSFET are put in TUMT6 package. 2) High-speed switching, low On-resistance. 3) Low voltage drive (2.5V drive). 4) Built-in G-S Protection Diode. Abbreviated symbol M02 Applications Switching

Другие IGBT... US5U35, US5U38, US6J11, US6K1, US6K2, US6K4, US6M1, US6M11, IRFB4115, US6U37, AM4437P, AON6718L, APM3009NF, APM3009NG, APM3009NU, APM3023NU, APM3023NV