Справочник MOSFET. US6M2

 

US6M2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: US6M2
   Маркировка: M02
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 1.6 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 13 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm
   Тип корпуса: TUMT6
 

 Аналог (замена) для US6M2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

US6M2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:58K  rohm
 us6m2.pdf pdf_icon

US6M2

US6M2 Transistors 2.5V Drive Nch+Pch MOSFET US6M2 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET / TUMT6Silicon P-channel MOSFET Features 1) Nch MOSFET and Pch MOSFET are put in TUMT6 package. 2) High-speed switching, low On-resistance. 3) Low voltage drive (2.5V drive). 4) Built-in G-S Protection Diode. Abbreviated symbol : M02 ApplicationsSwitching

Другие MOSFET... US5U35 , US5U38 , US6J11 , US6K1 , US6K2 , US6K4 , US6M1 , US6M11 , IRFP250N , US6U37 , AM4437P , AON6718L , APM3009NF , APM3009NG , APM3009NU , APM3023NU , APM3023NV .

History: IXFQ34N50P3 | BSZ009NE2LS5

 

 
Back to Top

 


 
.