EKG1020 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: EKG1020

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 55 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.052 Ohm

Encapsulados: TO-220

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EKG1020 datasheet

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EKG1020

100V, 20A Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET EKG1020 / FKG1020 Features Package TO220 TO220F VDS ------------------------------------------------------ 100 V EKG1020 FKG1020 ID ---------------------------------------------------------- 20 A RDS(ON) --------------- 33 m typ.(VGS = 10 V, ID = 10 A) Built-in Gate protect diode 100 % UIL tested Ro

 ..2. Size:249K  inchange semiconductor
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EKG1020

isc N-Channel MOSFET Transistor EKG1020 FEATURES Drain Current I =20A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =100V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 52m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpose

Otros transistores... EFC6601R, EFC6602R, EFC6604R, EFC6605R, EFC6611R, EFC6611R-TF, EFC6612R, EFC6612R-TF, IRFP250, EKH06100, EKI04027, EKI04036, EKI04047, EKI06051, EKI06075, EKI06108, EKI07076