EKG1020 Todos los transistores

 

EKG1020 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: EKG1020
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 55 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.052 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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EKG1020 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:705K  sanken-ele
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EKG1020

100V, 20A Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET EKG1020 / FKG1020 Features Package TO220 TO220F VDS ------------------------------------------------------ 100 V EKG1020 FKG1020 ID ---------------------------------------------------------- 20 A RDS(ON) --------------- 33 m typ.(VGS = 10 V, ID = 10 A) Built-in Gate protect diode 100 % UIL tested Ro

 ..2. Size:249K  inchange semiconductor
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EKG1020

isc N-Channel MOSFET Transistor EKG1020FEATURESDrain Current I =20A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =100V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 52m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose

Otros transistores... EFC6601R , EFC6602R , EFC6604R , EFC6605R , EFC6611R , EFC6611R-TF , EFC6612R , EFC6612R-TF , STF13NM60N , EKH06100 , EKI04027 , EKI04036 , EKI04047 , EKI06051 , EKI06075 , EKI06108 , EKI07076 .

History: RJK1002DPP-E0 | AM5920N | BSC025N08LS5 | PSMN9R0-30LL | BUZ51 | AM5430N | AM50N06-20D

 

 
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