EKG1020. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: EKG1020

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.052 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для EKG1020

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

EKG1020 даташит

 ..1. Size:705K  sanken-ele
 ekg1020.pdf pdf_icon

EKG1020

100V, 20A Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET EKG1020 / FKG1020 Features Package TO220 TO220F VDS ------------------------------------------------------ 100 V EKG1020 FKG1020 ID ---------------------------------------------------------- 20 A RDS(ON) --------------- 33 m typ.(VGS = 10 V, ID = 10 A) Built-in Gate protect diode 100 % UIL tested Ro

 ..2. Size:249K  inchange semiconductor
 ekg1020.pdf pdf_icon

EKG1020

isc N-Channel MOSFET Transistor EKG1020 FEATURES Drain Current I =20A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =100V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 52m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpose

Другие IGBT... EFC6601R, EFC6602R, EFC6604R, EFC6605R, EFC6611R, EFC6611R-TF, EFC6612R, EFC6612R-TF, IRFP250, EKH06100, EKI04027, EKI04036, EKI04047, EKI06051, EKI06075, EKI06108, EKI07076