Справочник MOSFET. EKG1020

 

EKG1020 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: EKG1020
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.052 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для EKG1020

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

EKG1020 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:705K  sanken-ele
 ekg1020.pdf pdf_icon

EKG1020

100V, 20A Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET EKG1020 / FKG1020 Features Package TO220 TO220F VDS ------------------------------------------------------ 100 V EKG1020 FKG1020 ID ---------------------------------------------------------- 20 A RDS(ON) --------------- 33 m typ.(VGS = 10 V, ID = 10 A) Built-in Gate protect diode 100 % UIL tested Ro

 ..2. Size:249K  inchange semiconductor
 ekg1020.pdf pdf_icon

EKG1020

isc N-Channel MOSFET Transistor EKG1020FEATURESDrain Current I =20A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =100V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 52m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose

Другие MOSFET... EFC6601R , EFC6602R , EFC6604R , EFC6605R , EFC6611R , EFC6611R-TF , EFC6612R , EFC6612R-TF , STF13NM60N , EKH06100 , EKI04027 , EKI04036 , EKI04047 , EKI06051 , EKI06075 , EKI06108 , EKI07076 .

History: SLU60R380S2 | FDS2070N3 | JCS10N60CC | STD8NM60N | ATM8N80TF | IPA105N15N3G | AP4451GH-HF

 

 
Back to Top

 


 
.