EKI06075 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: EKI06075

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 116 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 78 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 420 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0066 Ohm

Encapsulados: TO-220

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EKI06075 datasheet

 ..1. Size:246K  sanken-ele
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EKI06075

60 V, 78 A, 5.1 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET EKI06075 Features Package V(BR)DSS --------------------------------- 60 V (ID = 100 A) TO-220 (4) ID ---------------------------------------------------------- 78 A D RDS(ON) ---------- 6.6 m max. (VGS = 10 V, ID = 39.0 A) Qg ------26.9 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 30 V, ID = 39.0 A) Low Total Gate

 ..2. Size:251K  inchange semiconductor
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EKI06075

isc N-Channel MOSFET Transistor EKI06075 FEATURES Drain Current I =78A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =60V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 6.6m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpose

 8.1. Size:246K  sanken-ele
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EKI06075

60 V, 85 A, 3.9 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET EKI06051 Features Package V(BR)DSS --------------------------------- 60 V (ID = 100 A) TO-220 (4) ID ---------------------------------------------------------- 85 A D RDS(ON) ---------- 4.9 m max. (VGS = 10 V, ID = 55.0 A) Qg ------44.9 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 30 V, ID = 55.0 A) Low Total Gate

 8.2. Size:251K  inchange semiconductor
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EKI06075

isc N-Channel MOSFET Transistor EKI06051 FEATURES Drain Current I =85A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =60V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 4.9m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpose

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