EKI06075. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: EKI06075

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 116 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 78 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0066 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для EKI06075

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

EKI06075 даташит

 ..1. Size:246K  sanken-ele
 eki06075.pdf pdf_icon

EKI06075

60 V, 78 A, 5.1 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET EKI06075 Features Package V(BR)DSS --------------------------------- 60 V (ID = 100 A) TO-220 (4) ID ---------------------------------------------------------- 78 A D RDS(ON) ---------- 6.6 m max. (VGS = 10 V, ID = 39.0 A) Qg ------26.9 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 30 V, ID = 39.0 A) Low Total Gate

 ..2. Size:251K  inchange semiconductor
 eki06075.pdf pdf_icon

EKI06075

isc N-Channel MOSFET Transistor EKI06075 FEATURES Drain Current I =78A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =60V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 6.6m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpose

 8.1. Size:246K  sanken-ele
 eki06051.pdf pdf_icon

EKI06075

60 V, 85 A, 3.9 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET EKI06051 Features Package V(BR)DSS --------------------------------- 60 V (ID = 100 A) TO-220 (4) ID ---------------------------------------------------------- 85 A D RDS(ON) ---------- 4.9 m max. (VGS = 10 V, ID = 55.0 A) Qg ------44.9 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 30 V, ID = 55.0 A) Low Total Gate

 8.2. Size:251K  inchange semiconductor
 eki06051.pdf pdf_icon

EKI06075

isc N-Channel MOSFET Transistor EKI06051 FEATURES Drain Current I =85A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =60V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 4.9m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpose

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... EFC6612R, EFC6612R-TF, EKG1020, EKH06100, EKI04027, EKI04036, EKI04047, EKI06051, SI2302, EKI06108, EKI07076, EKI07117, EKI07174, EKI10126, EKI10198, EKI10300, ELM13400CA-S