ELM14812AA Todos los transistores

 

ELM14812AA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ELM14812AA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 13.84 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 4.1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 102 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

ELM14812AA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:392K  elm
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ELM14812AA

Dual N-channel MOSFETELM14812AA-NGeneral description Features ELM14812AA-N uses advanced trench technology to Vds=30Vprovide excellent Rds(on) and low gate charge. Id=6.9A (Vgs=10V) Rds(on)

 8.1. Size:389K  elm
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ELM14812AA

Dual N-channel MOSFETELM14822AA-NGeneral description Features ELM14822AA-N uses advanced trench technology to Vds=30Vprovide excellent Rds(on) and low gate charge. Id=8.5A (Vgs=10V) Rds(on)

 8.2. Size:395K  elm
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ELM14812AA

Dual N-channel MOSFETELM14806AA-NGeneral description Features ELM14806AA-N uses advanced trench technology Vds=20Vto provide excellent Rds(on), low gate charge and Id=9.4A (Vgs=10V)operation with gate voltages as low as 1.8V and internal Rds(on)

 8.3. Size:401K  elm
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ELM14812AA

Dual N-channel MOSFETELM14828AA-NGeneral description Features ELM14828AA-N uses advanced trench technology to Vds=60Vprovide excellent Rds(on) and low gate charge. Id=4.5A (Vgs=10V) Rds(on)

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