ELM14812AA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ELM14812AA

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.1 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 102 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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ELM14812AA datasheet

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ELM14812AA

Dual N-channel MOSFET ELM14812AA-N General description Features ELM14812AA-N uses advanced trench technology to Vds=30V provide excellent Rds(on) and low gate charge. Id=6.9A (Vgs=10V) Rds(on)

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ELM14812AA

Dual N-channel MOSFET ELM14822AA-N General description Features ELM14822AA-N uses advanced trench technology to Vds=30V provide excellent Rds(on) and low gate charge. Id=8.5A (Vgs=10V) Rds(on)

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ELM14812AA

Dual N-channel MOSFET ELM14806AA-N General description Features ELM14806AA-N uses advanced trench technology Vds=20V to provide excellent Rds(on), low gate charge and Id=9.4A (Vgs=10V) operation with gate voltages as low as 1.8V and internal Rds(on)

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ELM14812AA

Dual N-channel MOSFET ELM14828AA-N General description Features ELM14828AA-N uses advanced trench technology to Vds=60V provide excellent Rds(on) and low gate charge. Id=4.5A (Vgs=10V) Rds(on)

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