ELM14812AA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ELM14812AA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 102 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для ELM14812AA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ELM14812AA даташит

 ..1. Size:392K  elm
 elm14812aa.pdf pdf_icon

ELM14812AA

Dual N-channel MOSFET ELM14812AA-N General description Features ELM14812AA-N uses advanced trench technology to Vds=30V provide excellent Rds(on) and low gate charge. Id=6.9A (Vgs=10V) Rds(on)

 8.1. Size:389K  elm
 elm14822aa.pdf pdf_icon

ELM14812AA

Dual N-channel MOSFET ELM14822AA-N General description Features ELM14822AA-N uses advanced trench technology to Vds=30V provide excellent Rds(on) and low gate charge. Id=8.5A (Vgs=10V) Rds(on)

 8.2. Size:395K  elm
 elm14806aa.pdf pdf_icon

ELM14812AA

Dual N-channel MOSFET ELM14806AA-N General description Features ELM14806AA-N uses advanced trench technology Vds=20V to provide excellent Rds(on), low gate charge and Id=9.4A (Vgs=10V) operation with gate voltages as low as 1.8V and internal Rds(on)

 8.3. Size:401K  elm
 elm14828aa.pdf pdf_icon

ELM14812AA

Dual N-channel MOSFET ELM14828AA-N General description Features ELM14828AA-N uses advanced trench technology to Vds=60V provide excellent Rds(on) and low gate charge. Id=4.5A (Vgs=10V) Rds(on)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... ELM14606AA, ELM14614AA, ELM14702AA-N, ELM14800AA, ELM14801AA, ELM14803AB, ELM14805AA, ELM14806AA, IRF3710, ELM14822AA, ELM14826AA, ELM14828AA, ELM16400EA, ELM16401EA, ELM16402EA, ELM16403EA, ELM16405EA