CMT04N60GN252 Todos los transistores

 

CMT04N60GN252 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CMT04N60GN252
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
     - Selección de transistores por parámetros

 

CMT04N60GN252 Datasheet (PDF)

 6.1. Size:341K  champion
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CMT04N60GN252

CMT04N60 POWER MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES This advanced high voltage MOSFET is designed to Higher Current Rating withstand high energy in the avalanche mode and switch Lower Rds(on)efficiently. This new high energy device also offers a Lower Capacitancesdrain-to-source diode with fast recovery time. Designed for Lower Total Gate Charge high voltage, high speed switc

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History: CHM1024VGP | 2SK1152L | 4N65KL-TN3-R | AP6904GH-HF | PJS6416 | IRHMK57260SE | NTHS2101PT1G

 

 
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