CMT04N60GN252 - описание и поиск аналогов

 

CMT04N60GN252. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CMT04N60GN252

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для CMT04N60GN252

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CMT04N60GN252 даташит

 6.1. Size:341K  champion
 cmt04n60.pdf pdf_icon

CMT04N60GN252

CMT04N60 POWER MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES This advanced high voltage MOSFET is designed to Higher Current Rating withstand high energy in the avalanche mode and switch Lower Rds(on) efficiently. This new high energy device also offers a Lower Capacitances drain-to-source diode with fast recovery time. Designed for Lower Total Gate Charge high voltage, high speed switc

Другие MOSFET... ARF447 , BUZ380 , CEP703AL , CEB703AL , CMT04N60GN220 , CMT04N60XN220 , CMT04N60GN220FP , CMT04N60XN220FP , AO4407A , CMT04N60XN252 , DG2N60-251 , DG2N60-252 , DG2N60-220 , DG2N60-220F , DG2N60-126 , DG2N65-251 , DG2N65-252 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.