RFP8N20L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RFP8N20L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 max pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm

Encapsulados: TO220AB

 Búsqueda de reemplazo de RFP8N20L MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

RFP8N20L datasheet

 ..1. Size:38K  intersil
 rfp8n20l.pdf pdf_icon

RFP8N20L

RFP8N20L Data Sheet July 1999 File Number 1514.3 8A, 200V, 0.600 Ohm, Logic Level, Features N-Channel Power MOSFET 8A, 200V This N-Channel enhancement mode silicon gate power field rDS(ON) = 0.600 effect transistor is specifically designed for use with logic Design Optimized for 5V Gate Drives level (5V) driving sources in applications such as programmable controllers,

Otros transistores... RFP4N100, RFP50N05L, RFP50N06, RFP50N06LE, RFP60P03, RFP70N03, RFP70N06, RFP7N10LE, STP65NF06, RFP8P05, RFP8P06E, RFP8P06LE, RFP8P10, RFT1P06E, RFT2P03L, RFT3055LE, RFW2N06RLE