RFP8N20L Todos los transistores

 

RFP8N20L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RFP8N20L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250(max) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB
 

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RFP8N20L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:38K  intersil
 rfp8n20l.pdf pdf_icon

RFP8N20L

RFP8N20LData Sheet July 1999 File Number 1514.38A, 200V, 0.600 Ohm, Logic Level, FeaturesN-Channel Power MOSFET 8A, 200VThis N-Channel enhancement mode silicon gate power field rDS(ON) = 0.600effect transistor is specifically designed for use with logic Design Optimized for 5V Gate Driveslevel (5V) driving sources in applications such asprogrammable controllers,

Otros transistores... RFP4N100 , RFP50N05L , RFP50N06 , RFP50N06LE , RFP60P03 , RFP70N03 , RFP70N06 , RFP7N10LE , IRFZ48N , RFP8P05 , RFP8P06E , RFP8P06LE , RFP8P10 , RFT1P06E , RFT2P03L , RFT3055LE , RFW2N06RLE .

History: STD40N2LH5 | IXTY2N60P | STD7N60M2 | RW1A030AP | 7N10 | WFP2N60B | PE8A8BA

 

 
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