Справочник MOSFET. RFP8N20L

 

RFP8N20L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RFP8N20L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 250(max) pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RFP8N20L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:38K  intersil
 rfp8n20l.pdf pdf_icon

RFP8N20L

RFP8N20LData Sheet July 1999 File Number 1514.38A, 200V, 0.600 Ohm, Logic Level, FeaturesN-Channel Power MOSFET 8A, 200VThis N-Channel enhancement mode silicon gate power field rDS(ON) = 0.600effect transistor is specifically designed for use with logic Design Optimized for 5V Gate Driveslevel (5V) driving sources in applications such asprogrammable controllers,

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: AO4472 | VN0104N7 | MTB1D7N03ATH8 | 2SK610 | 2SK2525-01 | AP55T10GH-HF | BST82

 

 
Back to Top

 


 
.