Справочник MOSFET. RFP8N20L

 

RFP8N20L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RFP8N20L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 250(max) pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB

 Аналог (замена) для RFP8N20L

 

 

RFP8N20L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:38K  intersil
 rfp8n20l.pdf

RFP8N20L RFP8N20L

RFP8N20LData Sheet July 1999 File Number 1514.38A, 200V, 0.600 Ohm, Logic Level, FeaturesN-Channel Power MOSFET 8A, 200VThis N-Channel enhancement mode silicon gate power field rDS(ON) = 0.600effect transistor is specifically designed for use with logic Design Optimized for 5V Gate Driveslevel (5V) driving sources in applications such asprogrammable controllers,

Другие MOSFET... RFP4N100 , RFP50N05L , RFP50N06 , RFP50N06LE , RFP60P03 , RFP70N03 , RFP70N06 , RFP7N10LE , IRF1405 , RFP8P05 , RFP8P06E , RFP8P06LE , RFP8P10 , RFT1P06E , RFT2P03L , RFT3055LE , RFW2N06RLE .

 

 
Back to Top