RFP8N20L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RFP8N20L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 250 max pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для RFP8N20L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RFP8N20L даташит

 ..1. Size:38K  intersil
 rfp8n20l.pdf pdf_icon

RFP8N20L

RFP8N20L Data Sheet July 1999 File Number 1514.3 8A, 200V, 0.600 Ohm, Logic Level, Features N-Channel Power MOSFET 8A, 200V This N-Channel enhancement mode silicon gate power field rDS(ON) = 0.600 effect transistor is specifically designed for use with logic Design Optimized for 5V Gate Drives level (5V) driving sources in applications such as programmable controllers,

Другие IGBT... RFP4N100, RFP50N05L, RFP50N06, RFP50N06LE, RFP60P03, RFP70N03, RFP70N06, RFP7N10LE, STP65NF06, RFP8P05, RFP8P06E, RFP8P06LE, RFP8P10, RFT1P06E, RFT2P03L, RFT3055LE, RFW2N06RLE