RFP8N20L - аналоги и даташиты транзистора

 

RFP8N20L - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: RFP8N20L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 250(max) pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для RFP8N20L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RFP8N20L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:38K  intersil
 rfp8n20l.pdf pdf_icon

RFP8N20L

RFP8N20LData Sheet July 1999 File Number 1514.38A, 200V, 0.600 Ohm, Logic Level, FeaturesN-Channel Power MOSFET 8A, 200VThis N-Channel enhancement mode silicon gate power field rDS(ON) = 0.600effect transistor is specifically designed for use with logic Design Optimized for 5V Gate Driveslevel (5V) driving sources in applications such asprogrammable controllers,

Другие MOSFET... RFP4N100 , RFP50N05L , RFP50N06 , RFP50N06LE , RFP60P03 , RFP70N03 , RFP70N06 , RFP7N10LE , IRF1405 , RFP8P05 , RFP8P06E , RFP8P06LE , RFP8P10 , RFT1P06E , RFT2P03L , RFT3055LE , RFW2N06RLE .

History: SCH1335 | RFP8P06E | FTK7N65P | BRD30P06 | FTK7N65F | SI2305CDS | BRD70N08

 

 
Back to Top

 


 
.