PHE95N03LT Todos los transistores

 

PHE95N03LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PHE95N03LT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 770 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
   Paquete / Cubierta: I2PAK
 

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PHE95N03LT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:104K  philips
 php95n03lt phb95n03lt phe95n03lt.pdf pdf_icon

PHE95N03LT

PHP/PHB/PHE95N03LTTrenchMOS logic level FETRev. 02 01 February 2002 Product data1. DescriptionN-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package usingTrenchMOS1 technology.Product availability:PHP95N03LT in SOT78 (TO-220AB)PHB95N03LT in SOT404 (D2-PAK)PHE95N03LT in SOT226 (I2-PAK).2. Features Low on-state resistance Fast switching.3. App

Otros transistores... ISL9N310AD3 , ISL9N310AD3ST , JCS7N60S , JCS7N60B , JCS7N60C , JCS7N60F , PHP95N03LT , PHB95N03LT , SPP20N60C3 , STP100N6F7 , STP100NF04L , SVF10N65CFJ , STP10NB20 , STP10NB20FP , STP10NB50 , STP10NB50FP , STP10NC50 .

 

 
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