PHE95N03LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PHE95N03LT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 770 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
Paquete / Cubierta: I2PAK
- Selección de transistores por parámetros
PHE95N03LT Datasheet (PDF)
php95n03lt phb95n03lt phe95n03lt.pdf

PHP/PHB/PHE95N03LTTrenchMOS logic level FETRev. 02 01 February 2002 Product data1. DescriptionN-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package usingTrenchMOS1 technology.Product availability:PHP95N03LT in SOT78 (TO-220AB)PHB95N03LT in SOT404 (D2-PAK)PHE95N03LT in SOT226 (I2-PAK).2. Features Low on-state resistance Fast switching.3. App
Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: SPM1007 | IRFP17N50LPBF | AP20T15GI-HF | TSM4N80CZ | NTD4963N-1G | IRFS640B | JFFM13N65D
History: SPM1007 | IRFP17N50LPBF | AP20T15GI-HF | TSM4N80CZ | NTD4963N-1G | IRFS640B | JFFM13N65D



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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