PHE95N03LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PHE95N03LT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 770 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
Paquete / Cubierta: I2PAK
Búsqueda de reemplazo de PHE95N03LT MOSFET
PHE95N03LT Datasheet (PDF)
php95n03lt phb95n03lt phe95n03lt.pdf

PHP/PHB/PHE95N03LTTrenchMOS logic level FETRev. 02 01 February 2002 Product data1. DescriptionN-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package usingTrenchMOS1 technology.Product availability:PHP95N03LT in SOT78 (TO-220AB)PHB95N03LT in SOT404 (D2-PAK)PHE95N03LT in SOT226 (I2-PAK).2. Features Low on-state resistance Fast switching.3. App
Otros transistores... ISL9N310AD3 , ISL9N310AD3ST , JCS7N60S , JCS7N60B , JCS7N60C , JCS7N60F , PHP95N03LT , PHB95N03LT , 12N60 , STP100N6F7 , STP100NF04L , SVF10N65CFJ , STP10NB20 , STP10NB20FP , STP10NB50 , STP10NB50FP , STP10NC50 .
History: 6N60AF | SMIRF20N65T1TL | SVD540T | IRFR48ZTR | R6015ENX | 2SK1585 | FTA06N60C
History: 6N60AF | SMIRF20N65T1TL | SVD540T | IRFR48ZTR | R6015ENX | 2SK1585 | FTA06N60C



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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