PHE95N03LT Todos los transistores

 

PHE95N03LT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PHE95N03LT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 770 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm

Encapsulados: I2PAK

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PHE95N03LT datasheet

 ..1. Size:104K  philips
 php95n03lt phb95n03lt phe95n03lt.pdf pdf_icon

PHE95N03LT

PHP/PHB/PHE95N03LT TrenchMOS logic level FET Rev. 02 01 February 2002 Product data 1. Description N-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS 1 technology. Product availability PHP95N03LT in SOT78 (TO-220AB) PHB95N03LT in SOT404 (D2-PAK) PHE95N03LT in SOT226 (I2-PAK). 2. Features Low on-state resistance Fast switching. 3. App

Otros transistores... ISL9N310AD3 , ISL9N310AD3ST , JCS7N60S , JCS7N60B , JCS7N60C , JCS7N60F , PHP95N03LT , PHB95N03LT , K3569 , STP100N6F7 , STP100NF04L , SVF10N65CFJ , STP10NB20 , STP10NB20FP , STP10NB50 , STP10NB50FP , STP10NC50 .

History: STP100N6F7

 

 

 

 

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