PHE95N03LT - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PHE95N03LT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 770 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
Тип корпуса: I2PAK
Аналог (замена) для PHE95N03LT
PHE95N03LT Datasheet (PDF)
php95n03lt phb95n03lt phe95n03lt.pdf
PHP/PHB/PHE95N03LTTrenchMOS logic level FETRev. 02 01 February 2002 Product data1. DescriptionN-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package usingTrenchMOS1 technology.Product availability:PHP95N03LT in SOT78 (TO-220AB)PHB95N03LT in SOT404 (D2-PAK)PHE95N03LT in SOT226 (I2-PAK).2. Features Low on-state resistance Fast switching.3. App
Другие MOSFET... ISL9N310AD3 , ISL9N310AD3ST , JCS7N60S , JCS7N60B , JCS7N60C , JCS7N60F , PHP95N03LT , PHB95N03LT , K3569 , STP100N6F7 , STP100NF04L , SVF10N65CFJ , STP10NB20 , STP10NB20FP , STP10NB50 , STP10NB50FP , STP10NC50 .
History: MSF10N80A
History: MSF10N80A
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
2sc1312 datasheet | 2sb647 | k3561 transistor | c3203 transistor | irfp450 equivalent | 2sb649 | 2sb324 transistor | b754 transistor


