Справочник MOSFET. PHE95N03LT

 

PHE95N03LT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHE95N03LT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 770 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
   Тип корпуса: I2PAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PHE95N03LT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:104K  philips
 php95n03lt phb95n03lt phe95n03lt.pdf pdf_icon

PHE95N03LT

PHP/PHB/PHE95N03LTTrenchMOS logic level FETRev. 02 01 February 2002 Product data1. DescriptionN-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package usingTrenchMOS1 technology.Product availability:PHP95N03LT in SOT78 (TO-220AB)PHB95N03LT in SOT404 (D2-PAK)PHE95N03LT in SOT226 (I2-PAK).2. Features Low on-state resistance Fast switching.3. App

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: NVD5484NL | NCEP026N10F | SFF240J | SI7913DN | JCS5N50CT | MC11N005 | NVMFS5C628N

 

 
Back to Top

 


 
.