Справочник MOSFET. PHE95N03LT

 

PHE95N03LT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHE95N03LT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 770 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
   Тип корпуса: I2PAK
 

 Аналог (замена) для PHE95N03LT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHE95N03LT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:104K  philips
 php95n03lt phb95n03lt phe95n03lt.pdf pdf_icon

PHE95N03LT

PHP/PHB/PHE95N03LTTrenchMOS logic level FETRev. 02 01 February 2002 Product data1. DescriptionN-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package usingTrenchMOS1 technology.Product availability:PHP95N03LT in SOT78 (TO-220AB)PHB95N03LT in SOT404 (D2-PAK)PHE95N03LT in SOT226 (I2-PAK).2. Features Low on-state resistance Fast switching.3. App

Другие MOSFET... ISL9N310AD3 , ISL9N310AD3ST , JCS7N60S , JCS7N60B , JCS7N60C , JCS7N60F , PHP95N03LT , PHB95N03LT , SPP20N60C3 , STP100N6F7 , STP100NF04L , SVF10N65CFJ , STP10NB20 , STP10NB20FP , STP10NB50 , STP10NB50FP , STP10NC50 .

History: 2SK2084STL-E | TSF840MR | IRFY340CM | AP4511GM | SLH60R080SS | LNC06R062

 

 
Back to Top

 


 
.