RFT1P06E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RFT1P06E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 175 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.285 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT223
Búsqueda de reemplazo de RFT1P06E MOSFET
RFT1P06E Datasheet (PDF)
rft1p06e.pdf
RFT1P06EData Sheet August 1999 File Number 4495.11.4A, 60V, 0.285 Ohm, ESD Rated, FeaturesP-Channel Power MOSFET 1.4A, 60VThese products are P-Channel power MOSFETs rDS(ON) = 0.285manufactured using the MegaFET process. This process, 2kV ESD Protectedwhich uses feature sizes approaching those of LSI circuits,gives optimum utilization of silicon, resulting in outs
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History: SVS7N65DTR | RFW2N06RLE | SFF440J | FQAF10N80 | PSD04N65B | IRFBC30ALPBF | PJP4NA90
History: SVS7N65DTR | RFW2N06RLE | SFF440J | FQAF10N80 | PSD04N65B | IRFBC30ALPBF | PJP4NA90
Liste
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