RFT1P06E Todos los transistores

 

RFT1P06E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RFT1P06E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 175 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.285 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223
 

 Búsqueda de reemplazo de RFT1P06E MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

RFT1P06E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:90K  intersil
 rft1p06e.pdf pdf_icon

RFT1P06E

RFT1P06EData Sheet August 1999 File Number 4495.11.4A, 60V, 0.285 Ohm, ESD Rated, FeaturesP-Channel Power MOSFET 1.4A, 60VThese products are P-Channel power MOSFETs rDS(ON) = 0.285manufactured using the MegaFET process. This process, 2kV ESD Protectedwhich uses feature sizes approaching those of LSI circuits,gives optimum utilization of silicon, resulting in outs

Otros transistores... RFP70N03 , RFP70N06 , RFP7N10LE , RFP8N20L , RFP8P05 , RFP8P06E , RFP8P06LE , RFP8P10 , IRF1405 , RFT2P03L , RFT3055LE , RFW2N06RLE , RLP1N06CLE , SD10425JAA , SDF034JAA-D , SDF034JAA-S , SDF034JAA-U .

History: SIR804DP | 2SK369 | 2SK1203 | SM4842NSK | AOD380A60C | SVS60R190DD4TR | RSQ035P03TR

 

 
Back to Top

 


 
.