RFT1P06E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RFT1P06E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 175 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.285 Ohm

Encapsulados: SOT223

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RFT1P06E datasheet

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RFT1P06E

RFT1P06E Data Sheet August 1999 File Number 4495.1 1.4A, 60V, 0.285 Ohm, ESD Rated, Features P-Channel Power MOSFET 1.4A, 60V These products are P-Channel power MOSFETs rDS(ON) = 0.285 manufactured using the MegaFET process. This process, 2kV ESD Protected which uses feature sizes approaching those of LSI circuits, gives optimum utilization of silicon, resulting in outs

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