Справочник MOSFET. RFT1P06E

 

RFT1P06E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RFT1P06E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.285 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для RFT1P06E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RFT1P06E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:90K  intersil
 rft1p06e.pdf pdf_icon

RFT1P06E

RFT1P06EData Sheet August 1999 File Number 4495.11.4A, 60V, 0.285 Ohm, ESD Rated, FeaturesP-Channel Power MOSFET 1.4A, 60VThese products are P-Channel power MOSFETs rDS(ON) = 0.285manufactured using the MegaFET process. This process, 2kV ESD Protectedwhich uses feature sizes approaching those of LSI circuits,gives optimum utilization of silicon, resulting in outs

Другие MOSFET... RFP70N03 , RFP70N06 , RFP7N10LE , RFP8N20L , RFP8P05 , RFP8P06E , RFP8P06LE , RFP8P10 , IRF1405 , RFT2P03L , RFT3055LE , RFW2N06RLE , RLP1N06CLE , SD10425JAA , SDF034JAA-D , SDF034JAA-S , SDF034JAA-U .

History: IRF540ZSPBF | VBE1638 | PSMN5R0-100PS | MMQ60R115PTH | CMRDM3590 | IRF442

 

 
Back to Top

 


 
.