Справочник MOSFET. RFT1P06E

 

RFT1P06E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RFT1P06E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.285 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RFT1P06E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:90K  intersil
 rft1p06e.pdf pdf_icon

RFT1P06E

RFT1P06EData Sheet August 1999 File Number 4495.11.4A, 60V, 0.285 Ohm, ESD Rated, FeaturesP-Channel Power MOSFET 1.4A, 60VThese products are P-Channel power MOSFETs rDS(ON) = 0.285manufactured using the MegaFET process. This process, 2kV ESD Protectedwhich uses feature sizes approaching those of LSI circuits,gives optimum utilization of silicon, resulting in outs

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: STP10NM50N | AOD7N65 | NDT6N70 | WSD20L50DN | SML8090BN | IPD50R280CE | DMS3012SFG

 

 
Back to Top

 


 
.