Справочник MOSFET. RFT1P06E

 

RFT1P06E MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RFT1P06E
   Маркировка: R1P06E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 31 nC
   trⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.285 Ohm
   Тип корпуса: SOT223

 Аналог (замена) для RFT1P06E

 

 

RFT1P06E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:90K  intersil
 rft1p06e.pdf

RFT1P06E RFT1P06E

RFT1P06EData Sheet August 1999 File Number 4495.11.4A, 60V, 0.285 Ohm, ESD Rated, FeaturesP-Channel Power MOSFET 1.4A, 60VThese products are P-Channel power MOSFETs rDS(ON) = 0.285manufactured using the MegaFET process. This process, 2kV ESD Protectedwhich uses feature sizes approaching those of LSI circuits,gives optimum utilization of silicon, resulting in outs

Другие MOSFET... RFP70N03 , RFP70N06 , RFP7N10LE , RFP8N20L , RFP8P05 , RFP8P06E , RFP8P06LE , RFP8P10 , SKD502T , RFT2P03L , RFT3055LE , RFW2N06RLE , RLP1N06CLE , SD10425JAA , SDF034JAA-D , SDF034JAA-S , SDF034JAA-U .

 

 

Back to Top