RFT1P06E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RFT1P06E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.285 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для RFT1P06E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RFT1P06E даташит

 ..1. Size:90K  intersil
 rft1p06e.pdf pdf_icon

RFT1P06E

RFT1P06E Data Sheet August 1999 File Number 4495.1 1.4A, 60V, 0.285 Ohm, ESD Rated, Features P-Channel Power MOSFET 1.4A, 60V These products are P-Channel power MOSFETs rDS(ON) = 0.285 manufactured using the MegaFET process. This process, 2kV ESD Protected which uses feature sizes approaching those of LSI circuits, gives optimum utilization of silicon, resulting in outs

Другие IGBT... RFP70N03, RFP70N06, RFP7N10LE, RFP8N20L, RFP8P05, RFP8P06E, RFP8P06LE, RFP8P10, IRF830, RFT2P03L, RFT3055LE, RFW2N06RLE, RLP1N06CLE, SD10425JAA, SDF034JAA-D, SDF034JAA-S, SDF034JAA-U