RFT2P03L Todos los transistores

 

RFT2P03L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RFT2P03L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223
 

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RFT2P03L Datasheet (PDF)

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RFT2P03L

RFT2P03LData Sheet July 1999 File Number 4574.22.1A, 30V, 0.150 Ohm, P-Channel Logic FeaturesLevel, Power MOSFET 2.1A, 30VThis product is a P-Channel power MOSFET manufactured rDS(ON) = 0.150using the MegaFET process. This process, which uses Temperature Compensating PSPICE Modelfeature sizes approaching those of LSI circuits, gives Thermal Impedance SPICE M

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History: BSS84KW | AP10TN040P | 3401A | 2SK3354-ZJ | SIHF620 | 5N70GS | PHX14NQ20T

 

 
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