RFT2P03L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RFT2P03L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm

Encapsulados: SOT223

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RFT2P03L datasheet

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RFT2P03L

RFT2P03L Data Sheet July 1999 File Number 4574.2 2.1A, 30V, 0.150 Ohm, P-Channel Logic Features Level, Power MOSFET 2.1A, 30V This product is a P-Channel power MOSFET manufactured rDS(ON) = 0.150 using the MegaFET process. This process, which uses Temperature Compensating PSPICE Model feature sizes approaching those of LSI circuits, gives Thermal Impedance SPICE M

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