Справочник MOSFET. RFT2P03L

 

RFT2P03L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RFT2P03L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для RFT2P03L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RFT2P03L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:101K  intersil
 rft2p03l.pdf pdf_icon

RFT2P03L

RFT2P03LData Sheet July 1999 File Number 4574.22.1A, 30V, 0.150 Ohm, P-Channel Logic FeaturesLevel, Power MOSFET 2.1A, 30VThis product is a P-Channel power MOSFET manufactured rDS(ON) = 0.150using the MegaFET process. This process, which uses Temperature Compensating PSPICE Modelfeature sizes approaching those of LSI circuits, gives Thermal Impedance SPICE M

Другие MOSFET... RFP70N06 , RFP7N10LE , RFP8N20L , RFP8P05 , RFP8P06E , RFP8P06LE , RFP8P10 , RFT1P06E , 60N06 , RFT3055LE , RFW2N06RLE , RLP1N06CLE , SD10425JAA , SDF034JAA-D , SDF034JAA-S , SDF034JAA-U , SDF034JAB-D .

History: AM40P10-200P | IPD082N10N3G

 

 
Back to Top

 


 
.