RFT2P03L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RFT2P03L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для RFT2P03L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RFT2P03L даташит

 ..1. Size:101K  intersil
 rft2p03l.pdf pdf_icon

RFT2P03L

RFT2P03L Data Sheet July 1999 File Number 4574.2 2.1A, 30V, 0.150 Ohm, P-Channel Logic Features Level, Power MOSFET 2.1A, 30V This product is a P-Channel power MOSFET manufactured rDS(ON) = 0.150 using the MegaFET process. This process, which uses Temperature Compensating PSPICE Model feature sizes approaching those of LSI circuits, gives Thermal Impedance SPICE M

Другие IGBT... RFP70N06, RFP7N10LE, RFP8N20L, RFP8P05, RFP8P06E, RFP8P06LE, RFP8P10, RFT1P06E, IRLB3034, RFT3055LE, RFW2N06RLE, RLP1N06CLE, SD10425JAA, SDF034JAA-D, SDF034JAA-S, SDF034JAA-U, SDF034JAB-D