ELM34413AA-N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ELM34413AA-N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 34.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 18.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1000 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET ELM34413AA-N

ELM34413AA-N Datasheet (PDF)

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Single P-channel MOSFETELM34413AA-NGeneral description Features ELM34413AA-N uses advanced trench technology to Vds=-30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-12A resistance. Rds(on)

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Single P-channel MOSFETELM34411AA-NGeneral description Features ELM34411AA-N uses advanced trench technology to Vds=-30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-12A resistance. Rds(on)

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Single P-channel MOSFETELM34417AA-NGeneral description Features ELM34417AA-N uses advanced trench technology to Vds=-30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-6A resistance. Rds(on)

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Single N-channel MOSFETELM34414AA-NGeneral description Features ELM34414AA-N uses advanced trench technology to Vds=30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=15A resistance. Rds(on)

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Single P-channel MOSFETELM34415AA-NGeneral description Features ELM34415AA-N uses advanced trench technology to Vds=-30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-13A resistance. Rds(on)

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Single N-channel MOSFETELM34418AA-NGeneral description Features ELM34418AA-N uses advanced trench technology to Vds=30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=22A resistance. Rds(on)

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Single N-channel MOSFETELM34416AA-NGeneral description Features ELM34416AA-N uses advanced trench technology to Vds=30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=11A resistance. Rds(on)

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Liste

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