Справочник MOSFET. ELM34413AA-N

 

ELM34413AA-N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: ELM34413AA-N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 34.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 18.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1000 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8

 Аналог (замена) для ELM34413AA-N

 

 

ELM34413AA-N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:991K  elm
 elm34413aa-n.pdf

ELM34413AA-N ELM34413AA-N

Single P-channel MOSFETELM34413AA-NGeneral description Features ELM34413AA-N uses advanced trench technology to Vds=-30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-12A resistance. Rds(on)

 7.1. Size:613K  elm
 elm34411aa.pdf

ELM34413AA-N ELM34413AA-N

Single P-channel MOSFETELM34411AA-NGeneral description Features ELM34411AA-N uses advanced trench technology to Vds=-30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-12A resistance. Rds(on)

 7.2. Size:561K  elm
 elm34417aa.pdf

ELM34413AA-N ELM34413AA-N

Single P-channel MOSFETELM34417AA-NGeneral description Features ELM34417AA-N uses advanced trench technology to Vds=-30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-6A resistance. Rds(on)

 7.3. Size:356K  elm
 elm34414aa.pdf

ELM34413AA-N ELM34413AA-N

Single N-channel MOSFETELM34414AA-NGeneral description Features ELM34414AA-N uses advanced trench technology to Vds=30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=15A resistance. Rds(on)

 7.4. Size:614K  elm
 elm34415aa.pdf

ELM34413AA-N ELM34413AA-N

Single P-channel MOSFETELM34415AA-NGeneral description Features ELM34415AA-N uses advanced trench technology to Vds=-30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-13A resistance. Rds(on)

 7.5. Size:439K  elm
 elm34418aa.pdf

ELM34413AA-N ELM34413AA-N

Single N-channel MOSFETELM34418AA-NGeneral description Features ELM34418AA-N uses advanced trench technology to Vds=30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=22A resistance. Rds(on)

 7.6. Size:322K  elm
 elm34416aa.pdf

ELM34413AA-N ELM34413AA-N

Single N-channel MOSFETELM34416AA-NGeneral description Features ELM34416AA-N uses advanced trench technology to Vds=30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=11A resistance. Rds(on)

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top