RFT3055LE Todos los transistores

 

RFT3055LE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RFT3055LE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223
 

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RFT3055LE Datasheet (PDF)

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RFT3055LE

RFT3055LEData Sheet August 1999 File Number 4537.32.0A, 60V, 0.150 Ohm, N-Channel, Logic FeaturesLevel, ESD Rated, Power MOSFET 2.0A, 60VThis product is an N-Channel power MOSFET manufactured rDS(ON) = 0.150using the MegaFET process. This process, which uses 2kV ESD Protectedfeature sizes approaching those of LSI circuits, givesoptimum utilization of silicon, res

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History: STD3NK60Z-1 | APM2309AC | STU70N2LH5 | CHM5506JGP | AOW418 | PMCXB900UE | RSS090P03FU6TB

 

 
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