RFT3055LE MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RFT3055LE

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm

Encapsulados: SOT223

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RFT3055LE datasheet

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RFT3055LE

RFT3055LE Data Sheet August 1999 File Number 4537.3 2.0A, 60V, 0.150 Ohm, N-Channel, Logic Features Level, ESD Rated, Power MOSFET 2.0A, 60V This product is an N-Channel power MOSFET manufactured rDS(ON) = 0.150 using the MegaFET process. This process, which uses 2kV ESD Protected feature sizes approaching those of LSI circuits, gives optimum utilization of silicon, res

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