Справочник MOSFET. RFT3055LE

 

RFT3055LE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RFT3055LE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RFT3055LE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:106K  intersil
 rft3055le.pdf pdf_icon

RFT3055LE

RFT3055LEData Sheet August 1999 File Number 4537.32.0A, 60V, 0.150 Ohm, N-Channel, Logic FeaturesLevel, ESD Rated, Power MOSFET 2.0A, 60VThis product is an N-Channel power MOSFET manufactured rDS(ON) = 0.150using the MegaFET process. This process, which uses 2kV ESD Protectedfeature sizes approaching those of LSI circuits, givesoptimum utilization of silicon, res

Другие MOSFET... RFP7N10LE , RFP8N20L , RFP8P05 , RFP8P06E , RFP8P06LE , RFP8P10 , RFT1P06E , RFT2P03L , IRLZ44N , RFW2N06RLE , RLP1N06CLE , SD10425JAA , SDF034JAA-D , SDF034JAA-S , SDF034JAA-U , SDF034JAB-D , SDF034JAB-S .

History: KNB3508A | STW77N65M5 | SIHLR120 | IRF614A | SSP80R1K3S | FQB6N80TM | IXFP18N65X2

 

 
Back to Top

 


 
.