RFT3055LE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RFT3055LE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для RFT3055LE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RFT3055LE даташит

 ..1. Size:106K  intersil
 rft3055le.pdf pdf_icon

RFT3055LE

RFT3055LE Data Sheet August 1999 File Number 4537.3 2.0A, 60V, 0.150 Ohm, N-Channel, Logic Features Level, ESD Rated, Power MOSFET 2.0A, 60V This product is an N-Channel power MOSFET manufactured rDS(ON) = 0.150 using the MegaFET process. This process, which uses 2kV ESD Protected feature sizes approaching those of LSI circuits, gives optimum utilization of silicon, res

Другие IGBT... RFP7N10LE, RFP8N20L, RFP8P05, RFP8P06E, RFP8P06LE, RFP8P10, RFT1P06E, RFT2P03L, IRF9640, RFW2N06RLE, RLP1N06CLE, SD10425JAA, SDF034JAA-D, SDF034JAA-S, SDF034JAA-U, SDF034JAB-D, SDF034JAB-S