RFW2N06RLE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RFW2N06RLE
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.09 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 42 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 175 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm
Paquete / Cubierta: HEXDIP
Búsqueda de reemplazo de RFW2N06RLE MOSFET
RFW2N06RLE Datasheet (PDF)
rfw2n06rle.pdf

RFW2N06RLEData Sheet July 1999 File Number 2838.32A, 60V, 0.160 Ohm, Logic Level, FeaturesN-Channel Power MOSFET 2A, 60VThe RFW2N06RLE N-Channel, logic level, ESD protected, rDS(on) = 0.160power MOSFET is manufactured using the MegaFET UIS Rating Curve (Single Pulse)process. This process, which uses feature sizesapproaching those of LSI integrated circuits, gives
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Liste
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