RFW2N06RLE MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RFW2N06RLE

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.09 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 42 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 175 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm

Encapsulados: HEXDIP

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RFW2N06RLE datasheet

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RFW2N06RLE

RFW2N06RLE Data Sheet July 1999 File Number 2838.3 2A, 60V, 0.160 Ohm, Logic Level, Features N-Channel Power MOSFET 2A, 60V The RFW2N06RLE N-Channel, logic level, ESD protected, rDS(on) = 0.160 power MOSFET is manufactured using the MegaFET UIS Rating Curve (Single Pulse) process. This process, which uses feature sizes approaching those of LSI integrated circuits, gives

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