RFW2N06RLE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RFW2N06RLE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.09 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 20 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 42 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 175 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm
   Paquete / Cubierta: HEXDIP

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RFW2N06RLE

RFW2N06RLE Datasheet (PDF)

..1. Size:48K intersil
rfw2n06rle.pdf

RFW2N06RLEData Sheet July 1999 File Number 2838.32A, 60V, 0.160 Ohm, Logic Level, FeaturesN-Channel Power MOSFET 2A, 60VThe RFW2N06RLE N-Channel, logic level, ESD protected, rDS(on) = 0.160power MOSFET is manufactured using the MegaFET UIS Rating Curve (Single Pulse)process. This process, which uses feature sizesapproaching those of LSI integrated circuits, gives

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: